Вывод: При обратном смещении барьерная емкость уменьшается. при прямом смещении барьерная емкость увеличивается

17. Вычислить коэффициент диффузии для электронов и дырок (в см²/с) и диффузионную длину для электронов и дырок (в см) при Т=300 К

18. Вычислить электропроводность и удельное сопротивление собственного полупроводника, полупроводника n-и p-типа при Т=300 К

Выводы: а) проводимостью неосновных носителей в легированных полупроводника можно пренебречь по сравнению с прводимостью, обусловленной основными носителями.

Б) легированный п/п обладает большей электропроводностью.

В 10 раз.

19. Определить величину плотности обратного тока p-n-перехода при Т=300 К вА/см²

20. Построить обратную ветвь ВАХ p-n-перехода, Т=300 К

Результаты расчетов привести в таблице 10.

По данным таблицы 10 построить график 7 «Обратная ветвь ВАХ p-n-перехода».

Обратная ветвь ВАХ p-n-перехода, Т=300 К.

Обратная ветвь ВАХ p-n-перехода

Таблица 10.

N	1	2	3	4	5	6
qV	4,14195E-22	1,24259E-21	2,07098E-21	4,14195E-21	6,21293E-21	8,2839E-21
V	-0,002585213	-0,007755638	-0,012926063	-0,025852126	-0,038778188	-0,051704251
j*10 , А/см²	-4,15542E-07	-1,13176E-06	-1,71814E-06	-2,76025E-06	-3,39232E-06	-3,77569E-06

7	8	9	10	11
1,24259E-20	1,65678E-20	2,07098E-20	2,48517E-20	8,2839E-20
-0,077556377	-0,103408502	-0,129260628	-0,155112753	-0,51704251
-4,14925E-06	-4,28667E-06	-4,33723E-06	-4,35583E-06	-4,3667E-06

График 8.

21. Построить прямую ветвь ВАХ p-n-перехода, Т=300 К

Результаты расчетов привести в таблице 11.

Прямая ветвь ВАХ p-n-перехода, Т=300 К.

Таблица 11.

N	1	2	3	4	5	6	7
qV	4,14195E-21	8,2839E-21	1,24259E-20	1,65678E-20	1,86388E-20	2,07098E-20	8,2839E-20
V	0,025852126	0,051704251	0,077556377	0,103408502	0,116334565	0,129260628	0,517042511
j, А/см²	7,50313E-09	2,78987E-08	8,33397E-08	2,34044E-07	3,88706E-07	6,437E-07	2,118519275