2020-04-11
139Литература:
1. Бутырин П.А. Основы электротехники: учебник для студентов средних и высших учебных заведений профессионального образования по направлениям электротехники и электроэнергетики / П.А. Бутырин, О.В. Толчеев, Ф.Н. Шакирзянов; под ред. П.А. Бутырина. — М.: Издательский дом МЭИ, 2014. — 360 с.: ил.
2. Миленина, С. А. Электротехника: учебник и практикум для СПО / С. А. Миленина; под ред. Н. К. Миленина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Издательство Юрайт, 2018. — 263 с. — (Серия: Профессиональное образование). — ISBN 978-5-534-05793-5.
Выполненную работу отправлять на эл. адрес: SILKIN_SP@mail.ru или ВК.
1. Поясните термин «биполярный» транзистор. Изобразите УГО и устройство плоскостного биполярного транзистора. Укажите полярности напряжения на переходах и структуре транзистора n-p-n и p-n-p -типа для различных режимов работы транзистора.
2. Поясните принцип действия биполярного транзистора.
3. Приведите схемы включения транзистора ОБ, ОК и ОЭ. Как на практике определяется схема включения транзистора?
|
|
|
4. Приведите математические соотношения, устанавливающие связь между токами в биполярном транзисторе? Что такое I к0 и I к0(э)? Как эти параметры определяются на практике?
5. Поясните входные и выходные вольт-амперные характеристики транзистора в схемах ОЭ и ОБ.
6. Приведите схемы замещения биполярного транзистора в физических параметрах для схем ОЭ и ОБ. Опишите элементы, входящие в их состав.
7. Как влияет температура на характеристики и параметры биполярного транзистора? Чем вызвано снижение усиления, даваемое биполярным транзистором на высоких частотах?
8. Нарисуйте выходные характеристики биполярного транзистора в схеме ОЭ. Укажите области, характерные для различных режимов работы прибора. Приведите схемы замещения транзистора в режиме насыщения и отсечки. Объясните как перевести транзистор в эти режимы.
9. Объясните значение терминов «полевой» и «униполярный» в названии типа транзисторов. Поясните устройство, УГО и принцип действия транзистора с управляющим p-n -переходом.
10. Поясните стоковые и стоко-затворные вольт-амперные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n -переходом.
11. Поясните устройство и условные графические обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором со встроенным и индуцированным каналом. Каковы различия в принципе действия этих транзисторов?
12. Поясните выходные (стоковые) и стоко-затворные характеристики МДП-транзисторов со встроенным и индуцированным каналом.
13. Приведите схему замещения полевого транзистора в физических параметрах. Как определить физические параметры схемы по ВАХ транзистора?
|
|
|
14. Изобразите схемы включения полевого транзистора ОИ, ОС, ОЗ. Почему они так называются? Перечислите достоинства полевых транзисторов перед биполярными.
15. Поясните устройство и ВАХ диодного тиристора (динистора).
16. Поясните устройство и ВАХ триодного тиристора (тринистора) и симистора.
17. Приведите схему тиристорного регулятора мощности, диаграммы работы. Поясните диаграммы и принцип действия.
Задачи
1. Транзистор n-p-n -типа включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если:
а) U бэ= -2В, U кэ=12В; б) U бэ=0.6В, U кэ=12В; в) U бэ=0.4В, U кэ=0.1В. Ответ
аргументируйте.
2. Транзистор p-n-p -типа включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если:
а) U бэ= 0.4В, U кэ= -12В; б) U бэ= -0.3В, U кэ= -0.15В; в) U бэ= 0, 2В, U кэ= -12В. Ответ аргументируйте.
3. Транзистор n-p-n -типа включен по схеме ОБ. Определите напряжение U кэ, если U кб=10В, а U эб= -0.26В.В каком режиме находится транзистор?
4. Рассчитайте напряжение U кб p-n-p -транзистора, включенного по схеме ОЭ. Известно:
U кэ= -10В, U бэ= -0.35В.В каком режиме работает транзистор?
5. Транзистор n-p-n -типа работает в активном режиме. Определите I к, I э, β транзистора, если
I б= X,α = Y.
6. В схеме ОЭ на граничной частоте X статический коэффициент передачи тока базы транзистора равен Y. Определить граничную частоту работы транзистора, если его включить по схеме ОБ.
7. Транзистор включен по схеме ОБ. На граничной частоте X коэффициент передачи тока эмиттера составляет Y. Рассчитать граничную частоту работы транзистора при включении его по схеме ОЭ.
8. Транзистор n-p-n -типа включен по схеме ОЭ и работает в активном режиме. Рассчитайте приближенное значение дифференциального сопротивления эмиттерного перехода при постоянном токе эмиттера X и температуре Y 0 С.
9. Транзистор включен по схеме ОЭ. Известно: I б= X мкА, I к= Y мА, I к0= Z мкА. Определить коэффициенты передачи тока базы и эмиттера.
10. В схеме ОЭ коллекторный ток транзистора составляет X, а обратный ток коллекторного перехода – Y, коэффициент передачи тока базы – Z. Определить: а) I б; б) I э; в) α.
11. В схеме ОЭ транзистор n-p-n -типа работает в активном режиме. Известно, что α = X, I к0= Y. Найти коллекторный ток транзистора при обрыве базовой цепи.
12. Определить дифференциальное сопротивление коллекторного перехода и коэффициент передачи тока базы, если выходная проводимость равна X, а коэффициент передачи тока эмиттера – Y.
13. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Рассчитайте напряжение U кб, если
известно, что R э= X, R к= Y, E к= Z, U вх= - N, α = M. Определите схему включения транзистора и обоснуйте ответ.
+E к
R э VT
R к
| U вх |
| U вых | |||||
14. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Известно, что R э= X, R к= Y, R б= Z,
E к= N, U вх= M, α = W. Рассчитать I к, U кб.Определите схему включения транзистора.
Обоснуйте ответ.
| -E к | ||
| R э | R к | |
| VT | ||
| U вх | U вых | |
| R б |
15. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Рассчитать напряжение U кэ, если
R б= X, R к= Y, U вх= - Z, E к= N, β = M. Определить схему включения транзистора.
Обоснуйте ответ.
-E к
R к
R б VT
U вых
U вх
16. Транзистор работает на частоте X в схеме ОБ. Выходная проводимость транзистора Y, а емкость коллекторного перехода – Z. Во сколько раз активное сопротивление коллекторного перехода больше его емкостного сопротивления?
17. Емкость коллекторного перехода транзистора в схеме ОЭ составляет X, коэффициент передачи тока эмиттера – Y. Рассчитать величину емкости коллекторного перехода транзистора в схеме ОБ.
|
|
|
18. Статический коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме ОЭ равен X, а граничная частота передачи тока – Y. Вычислить значение и фазу коэффициента передачи тока на граничной частоте.
19. В схеме ОБ статический коэффициент передачи тока эмиттера равен X, а граничная частота передачи тока Y. Определить коэффициент передачи тока базы на частоте Z для этого транзистора, включенного по схеме ОЭ.
20. Транзистор работает в режиме насыщения. Определить степень насыщения транзистора, если
R к= X, R б= Y, E к= Z, U вх= - N,β = M, I к0= G.
-E к
R к
R б VT
U вх
21. Определить в каком режиме (насыщения или активном) работает транзистор. Как перевести
транзистор в другой режим? Известно: E к= X, R к= Y, R б= Z, β = N, I к0= M.
-E к
R к
R б
VT
22. Транзистор находится в режиме отсечки. Проверьте данное утверждение. E к= X, E см= Y,
R к= Z, R б= N, R = M,β = G, I к0= J, U вх= - L.
-E к
R к
R б VT
U вх
R
+E см
23. В области насыщения крутизна полевого транзистора с управляющим p-n -переходом и каналом
p -типа составляетXмА/В при напряжении U зи= Y и U си= - Z. Рассчитать крутизнутранзистора при U зи= J, если U зи0= G.
24. Определить напряжение U зи и крутизну стоко-затворной характеристики S полевого
транзистора с управляющим p-n -переходом и каналом n -типа, если известны U зи0= X, I с0= Y,
I с= Z.
Задачи
2. Транзистор n-p-n -типа включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если:
а) U бэ= -2В, U кэ=12В; б) U бэ=0.6В, U кэ=12В; в) U бэ=0.4В, U кэ=0.1В. Ответ
аргументируйте.
4. Транзистор p-n-p -типа включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если:
а) U бэ= 0.4В, U кэ= -12В; б) U бэ= -0.3В, U кэ= -0.15В; в) U бэ= 0, 2В, U кэ= -12В. Ответ аргументируйте.
5. Транзистор n-p-n -типа включен по схеме ОБ. Определите напряжение U кэ, если U кб=10В, а U эб= -0.26В.В каком режиме находится транзистор?
4. Рассчитайте напряжение U кб p-n-p -транзистора, включенного по схеме ОЭ. Известно:
|
|
|
U кэ= -10В, U бэ= -0.35В.В каком режиме работает транзистор?
5. Транзистор n-p-n -типа работает в активном режиме. Определите I к, I э, β транзистора, если
I б= X,α = Y.
14. В схеме ОЭ на граничной частоте X статический коэффициент передачи тока базы транзистора равен Y. Определить граничную частоту работы транзистора, если его включить по схеме ОБ.
15. Транзистор включен по схеме ОБ. На граничной частоте X коэффициент передачи тока эмиттера составляет Y. Рассчитать граничную частоту работы транзистора при включении его по схеме ОЭ.
16. Транзистор n-p-n -типа включен по схеме ОЭ и работает в активном режиме. Рассчитайте приближенное значение дифференциального сопротивления эмиттерного перехода при постоянном токе эмиттера X и температуре Y 0 С.
17. Транзистор включен по схеме ОЭ. Известно: I б= X мкА, I к= Y мА, I к0= Z мкА. Определить коэффициенты передачи тока базы и эмиттера.
18. В схеме ОЭ коллекторный ток транзистора составляет X, а обратный ток коллекторного перехода – Y, коэффициент передачи тока базы – Z. Определить: а) I б; б) I э; в) α.
19. В схеме ОЭ транзистор n-p-n -типа работает в активном режиме. Известно, что α = X, I к0= Y. Найти коллекторный ток транзистора при обрыве базовой цепи.
20. Определить дифференциальное сопротивление коллекторного перехода и коэффициент передачи тока базы, если выходная проводимость равна X, а коэффициент передачи тока эмиттера – Y.
21. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Рассчитайте напряжение U кб, если
известно, что R э= X, R к= Y, E к= Z, U вх= - N, α = M. Определите схему включения транзистора и обоснуйте ответ.
+E к
R э VT
R к
| U вх |
| U вых | |||||
14. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Известно, что R э= X, R к= Y, R б= Z,
E к= N, U вх= M, α = W. Рассчитать I к, U кб.Определите схему включения транзистора.
Обоснуйте ответ.
| -E к | ||
| R э | R к | |
| VT | ||
| U вх | U вых | |
| R б |
16. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Рассчитать напряжение U кэ, если
R б= X, R к= Y, U вх= - Z, E к= N, β = M. Определить схему включения транзистора.
Обоснуйте ответ.
-E к
R к
R б VT
U вых
U вх
21. Транзистор работает на частоте X в схеме ОБ. Выходная проводимость транзистора Y, а емкость коллекторного перехода – Z. Во сколько раз активное сопротивление коллекторного перехода больше его емкостного сопротивления?
22. Емкость коллекторного перехода транзистора в схеме ОЭ составляет X, коэффициент передачи тока эмиттера – Y. Рассчитать величину емкости коллекторного перехода транзистора в схеме ОБ.
23. Статический коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме ОЭ равен X, а граничная частота передачи тока – Y. Вычислить значение и фазу коэффициента передачи тока на граничной частоте.
24. В схеме ОБ статический коэффициент передачи тока эмиттера равен X, а граничная частота передачи тока Y. Определить коэффициент передачи тока базы на частоте Z для этого транзистора, включенного по схеме ОЭ.
25. Транзистор работает в режиме насыщения. Определить степень насыщения транзистора, если
R к= X, R б= Y, E к= Z, U вх= - N,β = M, I к0= G.
-E к
R к
R б VT
U вх
22. Определить в каком режиме (насыщения или активном) работает транзистор. Как перевести
транзистор в другой режим? Известно: E к= X, R к= Y, R б= Z, β = N, I к0= M.
-E к
R к
R б
VT
22. Транзистор находится в режиме отсечки. Проверьте данное утверждение. E к= X, E см= Y,
R к= Z, R б= N, R = M,β = G, I к0= J, U вх= - L.
-E к
R к
R б VT
U вх
R
+E см
24. В области насыщения крутизна полевого транзистора с управляющим p-n -переходом и каналом
p -типа составляетXмА/В при напряжении U зи= Y и U си= - Z. Рассчитать крутизнутранзистора при U зи= J, если U зи0= G.
25. Определить напряжение U зи и крутизну стоко-затворной характеристики S полевого
транзистора с управляющим p-n -переходом и каналом n -типа, если известны U зи0= X, I с0= Y,
I с= Z.
