Принцип действия биполярных транзисторов

При работе транзистора в усилительном режиме эмиттерный переход открыт, а коллекторный - закрыт. Это достигается  соответствующим включением источников питания.

 

 

Так как эмиттерный переход открыт, то через него будет протекать ток эмиттера, вызванный переходом электронов из эмиттера в базу и переходом дырок из базы в эмиттер.

Следовательно, ток эмиттера будет иметь две составляющие - электронную и дырочную.

Iэ = Iэ.п. + Iэ.р.

Эффективность эмиттера оценивается коэффициентом инжекции:

Инжекцией зарядов называется переход носителей зарядов из области, где они были основными в область, где они становятся неосновными.

В базе электроны рекомбинируют, а их концентрация в базе пополняется от «+» источника Еэ, за счёт чего в цепи базы будет протекать очень малый ток. Оставшиеся электроны, не успевшие рекомбинировать в базе, под ускоряющим действием поля закрытого коллекторного перехода как неосновные носители будут переходить в коллектор, образуя ток коллектора.

Переход носителей зарядов из области, где они были не основными, в область, где они становятся основными, называется экстракцией зарядов.

Степень рекомбинации носителей зарядов в базе оценивается коэффициентом перехода носителей зарядов δ:

 

Можно считать ток коллектора Iк примерно равным току эмиттера I_э:

 

 

Основное соотношение токов в транзисторе:

 

 

Дырки из коллектора как неосновные носители зарядов будут переходить в базу, образуя обратный ток коллектора Iкбо.

Ответить на контрольные вопросы:

1.В каком направлении включается эмиттерный

4.При какой схеме включения транзистора коэффициент усиления по мощности меньше или равен единице и коллекторный р – п – переходы?

2.Какие конструктивные особенности принципиально отличают базу от эмиттара и коллектора?

3.Как изменится коэффициент усиления по току:

а) с увеличением толщины базы;

б) с увеличением концентрации примеси в базе.