Вибір складених транзисторів VT4, VT5 кінцевого каскаду

 

Визначаємо максимальні граничні параметри обраних складених транзисторів кінцевого каскаду за такими формулами:

- максимальний струм колектора транзистора VT5.

 

 

- максимальну напругу колектор-емітер транзистора VT5

 

 

- максимальну потужність розсіювання на транзисторі VT5

 

- граничну частоту коефіцієнта передачі струму, МГц

 

 

За гранично розрахованими параметрами вибираємо типи транзисторів VT4, VT5 і заносимо їх до таблиці 3.3

 

Таблиця 3.3 Параметри вибраних транзисторів кінцевого каскаду.

Параметри	IKmax A	UKEmax В	PKmax Вт	f21Emax МГц	Тип транзистора	h21E
Розрахункові граничні параметри	0,11	24	0,38	0.039
Параметри вибраного транзистора VT5	1,5	40	10	3	КТ815А	20
Параметри вибраного транзистора VT4	2	40	10	3	КТ814А	20

 

Визначаємо величину опору резисторів R11 і R12 з співвідношення:

 

 

Вибираємо резистори R11, R12 опором 510 Ом.

Визначаємо потужність розсіювання на резисторах:

 

 

де І_ко — постійна складова струму,

Обираємо резистори R11, R12 типу: МЛТ – 0,25 – 510 Ом ± 5%.

Визначаємо амплітудне значення змінного струму бази транзистора VT5:

 

 

Визначаємо постійну складову струму бази транзистора:

 

 

За вхідною динамічною характеристикою визначаємо основні параметри U_{БЕ т} , U_{БЕ т ax}, U_БЕ0 (рисунок 3 графічної частини).

Визначаємо амплітуду вхідної напруги на складених транзисторах:

 

 

Визначаємо вхідний опір каскаду без урахуванням зворотного зв'язку:

 

 

Визначаємо вхідний опір каскаду з урахуванням зворотного зв'язку:

 

 

де F – глибина місцевого зворотного зв'язку в плечі:

 

 

 

де q_21m - усереднена крутизна характеристики транзистора УТ5;

 

 

де q_21m - усереднена крутизна характеристики транзистора УТ7;

R_Б - вхідний опір транзистора УТЗ:

 

 

Вхідна потужність кінцевого каскаду: