2020-05-12
250
Наиболее часто на практике применяют схему включения транзистора с общим эмиттером ОЭ. При таком включении входным электродом является база, эмиттер заземляется (общий электрод), а выходным электродом по-прежнему является коллектор (рис.1).
|
Рис.1
| Основным передаточным параметром для схемы включения с ОЭ является коэффициент усиления тока базы b: h21э=b = D Iк /D Iб, Uкэ= const |
Параметр b связан с коэффициентом передачи тока эмиттера соотношением
| b = a/ (1- a) |
По порядку величина b лежит в интервале значений b=10¸200. Из остальных h-параметров важное значение имеют входное дифференциальное сопротивление транзистора
| h 11э = DUбэ / D Iб, Uкэ=const |
и выходная дифференциальная проводимость
| h22э = D Iк / DUкэ, Iб= const |
Для схемы с ОЭ входное сопротивление единицы составляет единицы кОм, а выходная проводимость - 10- 4 -10 -5 . Входная и выходная характеристики транзистора с ОЭ несколько отличаются от характеристик транзистора с ОБ (см. рис.1).
Входной характеристикой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, является зависимость напряжения Uбэ от входного тока Iб, Uбэ =f1(Iб) при заданном напряженииUкэ. Совокупность таких зависимостей называется семейством входных характеристик транзистора (рис.6 б). При Uкэ =0 тепловой ток Iк0 в цепи коллектора отсутствует и зависимостьUбэ =¦1(Iб) соответствует ВАХ эмиттерного р-n–перехода, включенного в прямом направлении. ПриUкэ > 0 в цепи коллектора появляется ток-Iк0, направленный навстречу току Iб. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток Iб=Iк0, приложив соответствующее напряжение Uбэ. Это приводит к смещению входной характеристики вправо вниз.
|
|
|
Выходной характеристикой транзистора по схеме с ОЭ считывается зависимость Iк =¦2(Uкэ)при заданном токе Iб ( рис.1.6в). Если Uбэ=0, в цепи коллектора протекает только тепловой ток, так как в этом случае инжекция дырок из эмиттера в базу (для p-n-p-транзистора Iк0 = -Iб) или инжекция электронов из эмиттера в базу (для n-p-n–транзистора) отсутствует. При Uкэ=0 ток в цепи коллектора не проходит, это объясняется тем, что напряжение Uбэи Uкэнаправлены встречно друг другу, т.е. потенциал коллектора выше потенциала базы и коллекторный переход оказывается при этом закрыт. Поэтому выходные характеристики не пересекают ось ординат.
|
| Рис.2. |
На рис.2 приведена принципиальная схема стенда для снятия вольт-амперных характеристик транзистора, включенного с ОЭ. Входная цепь (цепь базы) питается от регулируемого источника тока I положительной полярности, которой поддерживает заданной ток базы. Величина тока базы I б измеряется миллиамперметром РА1. Напряжение между эмиттером и базой Uбэ измеряется внешним вольтметром. Напряжение на коллекторе устанавливается от регулируемого источника напряжения Е к. Напряжение коллектора U кэ измеряется с помощью внешнего вольтметра. Для измерения коллекторного тока I к служит миллиамперметр РА2.
|
|
|
При работе транзистора с коллекторной нагрузкой R к связь между коллекторным током I к и напряжением на коллекторе U к выражается уравнением нагрузочной характеристики:
| Iк=(Ек - Uк)/Rк |
Нагрузочная характеристика представляет прямую на семействе коллекторных характеристик транзистора (см. рис.7.в), пересекающуюся с осями координат Е к/ Rк и Ек соответственно. Экспериментально нагрузочную характеристику можно снять посредством регулировки тока базы Iб.
