Входные характеристики

Кафедра радиоприёмные устройства.

 

 

Контрольная работа № 2

По дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

 

Вариант № 17

Шифр:

 

Ф.И.О

 

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

 

                                                                                    Работу не высылать.

УПИ – УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

 

 

Контрольная работа № 2

По дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

 

Вариант № 17

Шифр:

 

Ф.И.О

 

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

 

                                                                                     Работу не высылать.

Аннотация.

           Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

 

 

Исходные данные:

 

 

Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б

Величина напряжения питания Еп ……………………………………………...     5 В

Сопротивление коллекторной нагрузки Rк ……………………………………  1,6 кОм

Сопротивление нагрузки Rн …………………………………………………….  1,8 кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.

 

 





Биполярный транзистор ГТ310Б.

Краткая словесная характеристика:

 

 

           Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

           Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

           Масса транзистора не более 0,1 г..

 

Электрические параметры.

 

 

Коэффициент шума при ƒ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более …………….    3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала

           при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H21э

при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 20 МГц не менее …………………………...     8

Постоянная времени цепи обратной связи

           при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой

           при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА ……………………………………………………  38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой

           при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц не более ……………………..  3 мкСм

Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ƒ = 5 МГц не более …………………………     4 пФ

 

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:

при Rбэ= 10 кОм ……………….…………………………………………    10 В

при Rбэ= 200 кОм ……………….………………………………………..      6 В

Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………...    12 В

Постоянный ток коллектора ………………………………………………………    10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………...    20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………...   2 К/мВт

Температура перехода …………………………………………………………….   348 К

Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до

328 К

               

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:

PК.макс= (348 – Т)/ 2



Входные характеристики.

 

           Для температуры Т = 293 К:

 

 

Iб, мкА                
200                
160                
120                
80                
40                
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 Uбэ,В   

 

 


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: