2020-08-05
137
В соответствии с рисунком 76показана схема ТТЛ с простым однотранзисторным ключом для логического элемента И-НЕ.
Рисунок 76
На входе элемента включен многоэмиттерный транзистор VT1. Принцип действия такого транзистора тот же, что и у обычного биполярного транзистора. Единственное отличие заключается в том, что инжекция носителей заряда в базу осуществляется через несколько самостоятельных эмиттерных р—n -переходов.
Многоэмиттерный транзистор и сложный инвертирующий ключ и составили схему базового логического элемента И — НЕ ТТЛ. Эта схема в соответствии с рисунком 77 состоит из следующих каскадов: входного многоэмиттерного транзистора VT1, выполняющего логическую операцию И; управляющего транзистора VT2 и двухтактного инвертирующего выходного каскада на VT3 и VT4.
Рисунок 77
При этом транзистор VT4 рассчитан на большой рабочий ток, так как через него стекают на землю входные токи многоэмиттерных транзисторов следующих логических элементов.
Базовый элемент на КМДП структурах
|
|
|
Структура из двух комплементарных МДП-транзисторов, являющаяся идеальным переключателем напряжения, положена в основу базовых элементов И — НЕ и ИЛИ — НЕ в соответствии с рисунками 78 и 79.
Как видно из этих схем, для реализации функции И — НЕ используется:
- параллельное включение транзисторов p -типа;
- последовательное (каскадное) включение транзисторов п -типа.
При этом каждый входной сигнал подается на пару транзисторов с каналами различной проводимости.
Рисунок 78
Для реализации базового элемента ИЛИ — НЕ в соответствии с рисунком 79 необходимо поменять местами параллельные и последовательные участки схемы и заменить в каждой группе (параллельной и последовательной) транзисторы с каналами одного типа на транзисторы с каналами противоположного типа проводимости.
Рисунок 79
