2020-09-26
109
временем доступа (Access time).
Временная gиаграмма характеризует число тактов, которые необходимы
CPU для выполнения четырех последовательных операций
Считывания данных. Между CPU и элементами памяти недопустимо
Временное рассогласование, обусловленное различным
Быстродействием этих компонентов.
Как правило, на материнскую плату устанавливаются не отдельные
микросхемы памяти, а модули памяти: SIMM-мogyлu и DIMMмogyлu.
Модули представляют собой микросхемы, объединенные
На специальных печатных платах вместе с некоторыми дополнительными
Элементами. Разрядность модулей памяти определяется
разрядностью микросхем памяти, установленных на плате: 12-
Контактные SIММ-модули - 32-разрядные, а 168-контактные
DIММ-модули - 64-разрядные.
Контактные SIММ-модули необходимо устанавливать только
Парами, поскольку каждый представляет собой половину стандартного
Банка памяти. 168-контактные DIММ-модули можно устанавливать
|
|
|
По одному, причем каждый из них может вмещать до
Мбайт оперативной памяти. Практика показывает, что через
Каждые два года требования к объему оперативной памяти удваиваются.
RIММ-моgуль - высокоскоростной модуль оперативной памяти,
Разработанный компанией Rambus совместно с lntel. Отличается от
DIММ-модуля тем, что имеет 184 контакта и металлический экран,
Обеспечивающий защиту от наводок и взаимного влияния высокочастотных
Модулей.
Распространенные типы памяти:
Всю память с произвольным доступом (RАМ) можно подразделить
На два типа: DRAМ (динамическая RАМ) и SRAМ (статическая
RАМ).
Динамическая память используется в качестве оперативной памяти
Общего назначения и как память для видеоадаптера.
К первому поколению высокоскоростных DRAМ главным образом
Относятся FRМ DRAМ, EDO DRAМ, SDRAМ и RDRAМ, а к следующему
-ESDRAМ, DDR SDRAМ, Direct RDRAМ, SLDRAМ (ранее SynchLink DRAМ) и т. д.
FPM DRAМ - широкораспространенный стандартный тип памяти,
Появившийся в моделях ПК с CPU 80486 и позволивший обеспечить
время доступа 60 или 10 нс.
EDO DRAМ -основной тип памяти процессоров Pentium. Память
Этого типа работает на частоте системной шины не более 66 МГц со
временем доступа от 50 до 10 нс. Модули EDO используются в
Основном мя модернизации встроенной памяти на некоторых моделях
Внешних устройств (например, лазерных принтеров).
SDRAМ -синхронная динамическая память отличается тем, что
Большинство обращений к памяти является последовательным.
SDRАМ-модули устанавливаются в ПК с процессором Pentium III,
|
|
|
Обеспечивают высокое быстродействие за счет снижения времени
доступа до 1... 9 нс. Пропускная способность SDRАМ-модулей составляет
От 246 до 1 ООО Мбайт/с. Они поддерживают частоту до
МГц.
SDRAМ РС 100 -память удовлетворяет специальному стандарту
РС 100, устойчиво работает на внешних частотах свыше 100 МГц и
Имеет время доступа не более 8 нс.
SDRAМ РСJЗЗ - память в соответствии со стандартом РС133
Имеет частоту порядка 133 МГц, обладает пиковой пропускной способностью
До 1 Гбайт/с при средней 250 Мбайт/с. Данный тип памяти
Используется в ПК класса Celeron 300 и выше.
RDRAМ, или Rambus DRAМ, разработана компанией Rambus
Inc, обеспечивающая время доступа 4 нс, скорость передачи данных
До 6 Гбайт/с и поддерживающая рабочую частоту шины до
МГц. Модификации памяти RDRAМ используются в основном
В высокоскопроизводительных серверах и рабочих станциях.
DDR SDRAМ -усовершенствованный вариант SDRАМ-модулей,
Разработанный корпорацией Samsung и обеспечивающий пропускную
Способность 2,5 Гбайт/с при времени доступа 5... 6 нс и рабочей
частоте шины 600... 100 МГц. Особенности архитекrуры позволяют
DDR SDRAМ обрабатывать за такт вдвое больше данных, чем
Обычная SDRAМ. Дальнейшее развитие этой технологии в микросхемах
DDR2 SDRAМ позволяет за один тактовый импульс передавать
Четыре порции данных, причем увеличение производительности
Происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтениязаписи
Ячеек памяти при неизменной тактовой частоте работы
Запоминающей матрицы. Это приводит к увеличению производительности
