Маркировка транзисторов

В соответствии с отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 маркировка транзисторов состоит из 6 элементов.

Первый элемент (буквенные или цифровой обозначает исходный полупроводник: Г (1) – германий, К (2) – кремний, А (3) – арсенид галлия, И (4) – соединении я индия. Буквенные обозначения имеют транзисторы, работающие при пониженных температурах (германиевые – до +60, кремниевые – до +85°С), а цифровые – приборы, работающие при повышенных температурах (германиевые – до +70, кремниевые – до +120°С).

Второй элемент - буква Т – присваивается всем транзисторам, кроме полевых, а П – полевым. После буквы означающей тип транзистора могут стоять буквы М или С (например, ТМ или ПС). Буква М означает, что данный транзистор выпускается для установки в модуль этажерочного типа. Буква С обозначает сборку, т.е. несколько транзисторов в одном корпусе.

Третий элемент (цифровой) характеризует мощность рассеивания и диапазон рабочих частот транзистора.

 

            

              Таблица 1.29 Третий элемент маркировки.

	fα<3МГц	3МГц< fα<30МГц	fα>30МГц
Pрас <0,3 Вт	1	2	3
0,3 <Pрас<1,5 Вт	4	5	6
Pрас >1,5 Вт	7	8	9

 

Четвёртый и пятый элементы (цифровые) обозначают порядковый номер транзистора от 01 до 99.

Шестой элемент (буквенный) обозначает деление данного типа транзисторов на группы по какому либо параметру.

В настоящее время произошли некоторые изменения в маркировке транзисторов. Маркировка состоит и 7 элементов. 1 и 2 элементы остались неизменными.

Третий элемент (цифровой) также характеризует мощность рассеивания и диапазон рабочих частот транзистора, но распределение индексов (цифр) изменилось.

 

               Таблица 1.30. Третий элемент маркировки.

	fα<30МГц	30МГц< fα<300МГц	fα>300МГц
Pрас <1Вт	1	2	4
Pрас >1Вт	7	8	9

 

Четвёртый, пятый и шестой элементы (цифровые) обозначают порядковый номер транзистора от 001 до 999.

Седьмой элемент (буквенный) обозначает деление транзисторов данного типа на группы по какому либо параметру.

Буквы А, Б, В, Г, характеризующие разновидность транзисторов в группе общей закономерности для всех транзисторов не имеют, и отличия транзистора с определённой буквой от транзистора той же группы с другой группой нужно смотреть в справочнике. Но, как правило, для биполярных транзисторов деление на подгруппы делается по h_21э – коэффициенту усиления по току, а для полевых транзисторов по начальному току стока.

В качестве дополнительных элементов используются следующие символы 1÷9, М, Р. Например, цифра 9 означает, что данный транзистор выпущен в пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа. Буква М означает, что транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе. Буква Р означает, что транзисторы в упаковке подобраны по парам.

В марке транзистора может присутствовать цифра написанная через дефис, которая обозначает модификацию конструктивного исполнения.

1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);

2 – с гибкими выводами на кристаллодержателя;

3 – с жёскими выводами без кристаллодержателя

4 – с жёскими выводами на кристаллодержателя;

5 – с контактными площадками без кристаллодержателя, но без выводов;

6 – с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.

До 1964 года существовала более ранняя маркировка, которая состояла из 5 элементов.

1 элемент – буква П обозначала плоскостной транзистор в горячесварном корпусе, С – точечный транзистор. Если перед буквой   П стояла буква М, то корпус был холодносварной (модернизированный транзистор).

2 элемент (цифровой) обозначал область применения транзистора.

 

              Таблица 1.31. Второй элемент маркировки.

	fα<5МГц		fα>5МГц
	маломощные	мощные	маломощные	мощные
Германиевые	0-99	201-299	401-499	601-699
Кремниевые	101-199	301-399	501-599

3 элемент элемент (буквенный) обозначает деление транзисторов данного типа на группы по какому либо параметру.

Пример

МП42А – транзистор биполярный, германиевый, маломощный P_рас.<0,3Вт, низкочастотный f_α<3МГц;

ГТ108А – транзистор биполярный маломощный P_рас.<0,3Вт, низкочастотный f_α<3МГц;

КТ315Г – транзистор биполярный маломощный P_рас.<0,3Вт, высокочастотный f_α>30МГц;

КТ399Г – транзистор биполярный маломощный P_рас.<0,3Вт, высокочастотный f_α>30МГц;

КТ399Г-2 – транзистор биполярный маломощный P_рас.<0,3Вт, высокочастотный f_α>30МГц, но в бескорпусном исполнении с гибкими выводами на кристаллодержателе;

КТ630Б – транзистор биполярный средней мощности 0,3Вт<P_рас.<1,5Вт, высокочастотный f_α>30МГц;

2Т808А – транзистор биполярный большой мощности P_рас.>1,5Вт, среднечастотный 3МГц< f_α< 30МГц;

КТ903А – транзистор биполярный большой мощности P_рас.>1,5Вт, высокочастотный f_α>30МГц;

КПС104Г – сборка из двух маломощных полевых транзисторов P_рас.<0,3Вт, низкочастотный f_гр<3МГц.

КП303В – транзистор полевой маломощный P_рас.<0,3Вт, высокочастотный f_гр>30МГц.

КП7235Г – транзистор полевой маломощный P_рас.>1Вт, высокочастотный f_гр<30МГц.

Некоторые отечественные производители из-за малости размеров корпусов маркируют транзисторы с помощью кодов и цветных полос и точек. Логически построенной информации такая маркировка не несёт и для определения марки транзистора необходимо пользоваться справочниками.