Задача расчета транзистора по постоянному току состоит в определении номинальных значений резисторов в схеме, которые задают рабочую точку транзистора. Рассмотрим схему на рис. 4. В данном случае мы должны найти величины сопротивлений R1, R2, а также коэффициент температурной нестабильности S и приращение коллекторного тока
при заданном диапазоне изменения температуры
.
Решим эту задачу для конкретного случая. Выберем стандартный источник питания Ек=12 В, транзистор КТ-312Б. Для данного транзистора в справочнике приведены все необходимые характеристики (рис. 5 - 8). Выбираем режим работы транзистора. Пусть это будет режим работы класса А. Выберем рабочую точку "А" транзистора с параметрами UкэА=5 В, IкэА=18 мА. Проводим нагрузочную прямую через точку "А" и через точку с координатами Uкэ=Ек=12В, Iкэ=0 до пересечения с осью тока. По нагрузочной характеристике находим максимальное значение тока насыщения транзистора. Для рассматриваемого случая оно равно Iкн=30 мА. Зная ток насыщения транзистора, можем теперь найти величину резистора в цепи коллектора RK:
(Ом).
Из стандартного ряда сопротивлений выбираем ближайший номинал RK=430 Ом или 390 Ом, в зависимости от требований к коэффициенту усиления Ки или полосе пропускания. Если нам необходимо получить максимальный коэффициент усиления Ки, то нужно выбрать значение коллекторного сопротивления, равное RK=430 Ом, если же нам требуется максимальная полоса пропускания, то нужно взять RK=390 Ом.
Далее по выходной характеристике транзистора определяем ток базы в точке "А" IбА (рис. 5). В данном случае он равен: IбА=0,4 мА. Затем по входной характеристике находим значение напряжения на базе в точке "А" UбэА. В нашем примере падение напряжения на базе будет равно:
UбэА= 0,46 В.
Ток эмиттера является суммой токов коллектора и базы, т.е.:
(мА).
Составляем уравнение равновесия напряжений по второму правилу Кирхгофа для цепи эмиттер-коллектор:
. (1)

Для входной цепи по второму правилу Кирхгофа можно составить два уравнения равновесия напряжений:
, (2)
. (3)
Из уравнений (2) и (3) следует, что:
.
Сопротивление Rэ осуществляет отрицательную обратную связь по току (ООС). Падение напряжения на нем должно быть небольшим, поэтому обычно из практических соображений выбирают URэ ~ (0,1- 0,3)Ек. Возьмем в нашем случае URэ = 0,1Ек, тогда из этого условия можно найти значение сопротивления в цепи эмиттера:

Выбираем номинал резистора по стандартному ряду сопротивлений типа МЛТ, равный 100 Ом. Тогда падение напряжения на эмиттерном сопротивлении будет равно:

Для задания фиксированного напряжения на базе транзистора необходимо, чтобы: 

Для расчета сопротивления R2 необходимо знать величину тока I2. Как и в предыдущем случае из практических соображений выбираем значения токов I1 и I2 равными:

Теперь можем рассчитать величину резистора R2:

Выбираем ближайший номинал из стандартного ряда сопротивлений типа МЛТ, равный R2=1,5 кОм. Далее по уравнению (1) для входной цепи рассчитываем величину резистора R1:

Выбираем номинал из стандартного ряда, равный R1=5,1 кОм. Рассчитаем теперь мощность рассеяния на выбранных нами сопротивлениях:




Таким образом, в нашу схему для задания рабочей точки необходимо поставить резисторы следующих номиналов:
R1 - МЛТ - 0,125 Вт - 5,1 кОм;
R2 - МЛТ - 0,125 Вт - 1,5 кОм;
RК - МЛТ - 0,250 Вт - 430 Ом;
Rэ - МЛТ - 0,125 Вт - 100 Ом.
Далее рассчитаем коэффициент температурной нестабильности. Пусть начальная температура окружающей среды будет равна Т0=20оС, интервал изменения температуры
Т=+40оС. Значение коэффициента передачи тока транзистора схемы с общим эмиттером для начальной и конечной температуры находим по графику на рис. 7. Рассчитаем параметры D и
:
;
.

Теперь можно определить коэффициент температурной нестабильности для схемы с ООС по току:
.
Зная коэффициент температурной нестабильности, можно найти величину приращения коллекторного тока Iк при изменении температуры в заданном интервале
. Величину изменения обратного коллекторного тока
находим по графику на рис. 8.
,
где
, 
- находим из графика на рис. 7.
- находим из графика на рис. 8.

В нашем случае получаем следующий результат:

Далее следует учесть то, что реальные сопротивления всегда имеют технологический разброс значений, зависящий от класса точности изготовления резисторов. Поэтому необходимо определить значения коэффициента температурной нестабильности и приращения коллекторного тока, если резисторы R1, R2, Rк, Rэ имеют разброс параметров
.
Допустим, что в нашем случае разброс параметров сопротивлений равен
=30%. Рассчитаем два варианта, когда коэффициент температурной нестабильности и, следовательно, приращение коллекторного тока будут иметь максимальное и минимальное значения. Это произойдет в том случае, когда параметр D будет принимать минимальное и максимальное значения соответственно. Если сопротивления Rэ изменятся на
, а R1, R2 - на
, то параметр D будет иметь минимальное значение. Если резисторы Rэ изменятся на
, а R1, R2 - на
, то параметр D достигнет максимального значения. Определим, какие значения примут резисторы при заданном разбросе параметров:
R1min =5100 -
= 3570 Ом; R1max =5100 +
= 6630 Ом;
R2min =1500 -
= 1050 Ом; R2max =1500 +
= 1950 Ом;
RKmin = 430 -
= 301 Ом; RKmax = 430 +
= 559 Ом;
RЭmin = 100 -
= 70 Ом; RЭmax = 100 +
= 130 Ом.
Рассчитаем минимальное и максимальное значение параметра D:


Далее найдем максимальное и минимальное значения S:


Теперь определим приращения коллекторного тока:


На этом расчет статического режима работы транзистора закончен.
3.3 Задачи для самостоятельной работы
По числовым данным, приведенным в табл. 1, рассчитать статический режим работы транзистора КТ-312Б, характеристики которого даны на рис. 5
8. Схема усилительного каскада приведена на рис. 4. В таблице даны: координаты положение рабочей точки А (UкэА, IкэА), напряжение питания каскада (Ек), номинальное значение температуры окружающей среды (Т), интервал изменения температуры (
), интервал разброса параметров резисторов (
).
Определить номинальные значения резисторов R1, R2, Rк, Rэ, коэффициент температурной нестабильности S, приращение коллекторного тока тока
I к в заданных интервалах температуры и разброса параметров.
Таблица 1.
| Номер варианта | UкэА, В | IкэА, мА | Ек, В | Т, оС | ,
оС
| ,
%
|
| 1 | 5 | 6 | 10 | 25 | +40 | ±20 |
| 2 | 10 | 15 | 20 | 25 | +40 | ±10 |
| 3 | 5 | 10 | 15 | 25 | -30 | ±20 |
| 4 | 10 | 10 | 20 | 25 | +35 | ±15 |
| 5 | 8 | 6 | 15 | 20 | -35 | ±20 |
| 6 | 10 | 18 | 25 | 20 | +20 | ±25 |
| 7 | 8 | 15 | 25 | 25 | +45 | ±30 |
| 8 | 12 | 7 | 20 | 20 | +40 | ±20 |
| 9 | 5 | 22 | 15 | 20 | -20 | ±20 |
| 10 | 5 | 20 | 25 | 20 | +35 | ±10 |
| 11 | 15 | 15 | 25 | 20 | -35 | ±20 |
| 12 | 10 | 20 | 25 | 25 | +30 | ±20 |
| 13 | 7,5 | 20 | 20 | 20 | +30 | ±30 |
| 14 | 12,5 | 6 | 20 | 25 | -30 | ±20 |
| 15 | 12,5 | 15 | 20 | 25 | +40 | ±20 |
| 16 | 10 | 23 | 25 | 25 | +40 | ±20 |
| 17 | 10 | 22 | 25 | 25 | -40 | ±10 |
| 18 | 5 | 9 | 12 | 25 | +20 | ±10 |
| 19 | 6 | 11 | 15 | 20 | -20 | ±15 |
| 20 | 5 | 20 | 18 | 20 | +20 | ±15 |
| 21 | 5 | 16 | 16 | 25 | +25 | ±20 |
| 22 | 7,5 | 16 | 20 | 25 | +25 | ±20 |
| 23 | 7,5 | 20 | 20 | 20 | +35 | ±25 |
| 24 | 10 | 10 | 15 | 20 | +35 | ±25 |
| 25 | 10 | 15 | 20 | 20 | -35 | ±20 |
| 26 | 9 | 7 | 18 | 20 | +40 | ±30 |
| 27 | 6 | 10 | 18 | 20 | +30 | ±20 |
| 28 | 8 | 15 | 16 | 25 | +35 | ±20 |
| 29 | 15 | 18 | 25 | 25 | +45 | ±20 |
| 30 | 7,5 | 20 | 15 | 20 | +50 | ±10 |
4. Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току
,
оС
,
%






