Характеристика MOSFET-транзисторов

Минимальное напряжение во включенном состоянии затвора, требуемого для того, чтобы MOSFETостается полностью открытом при необходимом токе стока может быть определено из области расположенной выше кривых передаточной характеристики V-I. Когда Vin высоко или равно VDD, Q-точка МОП-транзистора перемещается в точку А вдоль линии нагрузки.Ток стока возрастает до своего максимального значения за счет снижения сопротивления канала. Значение Id становится постоянным, не зависящем от значения VDD и зависит только от VGS. Таким образом, транзистор ведет себя как выключатель в замкнутом состоянии, но сопротивление канала не становится нулем из-за его Rdsзначения хотя и становится незначительным.

Аналогичным образом, когда напряжение Vin низкое или стремитс к нулю, то MOSFET Q-точка движется из точки А в точку Б, вдоль линии нагрузки. Сопротивление канала становится очень высоким, транзистор действует как разомкнутый ключ и соответственно ток через канал не протекает. Таким образом, если напряжение на затворе полевого транзистора переключается между двумя значениями, HIGH и LOW, MOSFET будет вести себя как однополюсный твердотельный ключ, и это действие определяется как:

Зона отсечки

Условия работы в этой зоне определяются:нулевым напряжением на затворе, нулевым током стока и выходным напряжением Vds=Vdo. Транзистор находится в полностью закрытом состоянии.

Характеристики зоны отсечки

• Напряжение на затворе меньше порогового
• MOSFET полностью выключен
• Ток стока равен 0 (ID = 0)
• VOUT = VDS = VDD = ”1″
• MOSFET может быть представлен как разомкнутый ключ

Для P-канальных транзисторов потенциал затвора должен быть положительным по отношению к истоку.

Режим насыщения

В режиме насыщения транзистор смещен таким образом что максимальное напряжение приложено к затвору транзистора и сопротивление канала минимально. То есть транзистор полностью открыт.