Из истории… электроника

ЭЛЕКТРОНИКА, как область техники, возникла в начале ХХ века, главным образом вакуумная, на ее основе были созданы электровакуумные приборы.

40-е гг. ХХ века получила развитие твердотельная электроника, главным образом полупроводниковая, на ее основе были созданы целый класс проводниковых приборов.

60-е гг. ХХ века – расцвет микроэлектроники.

Полупроводниковые приборы в виде точечных диодов, или, как их раньше называли, кристаллические детекторы, применяли еще в первых электронных установках.

Выпрямительные свойства контактов между металлами и некоторыми сернистыми

соединениями были обнаружены еще в 1874 г. А. С. Поповым.

В 1895г. А. С. Поповым при изобретении радио был применен порошковый когерер, в

котором использовались нелинейные свойства зернистых систем.

В 1922г. О. В. Лосев использовал отрицательное дифференциальное сопротивление,

возникающее при определенных условиях на точечных контактах металла с

полупроводником, для генерации высокочастотных электрических колебаний. Кроме того,

им было обнаружено свечение кристаллов карбида кремния при прохождении тока через

точечные контакты.

С конца XIX в. и до середины XX в. успешно развивается техника электровакуумных приборов.

Из-за недостаточного знания строения полупроводников и происходивших в них электрофизических процессов полупроводниковые приборы не получили тогда существенного развития и применения.

Широкое и систематическое исследование свойств полупроводников было начато в 30-е годы XX в.

В этот период были разработаны основы физики полупроводников, открыты наиболее важные эффекты в полупроводниках, на основе которых работают современные полупроводниковые приборы.

При разработке теории выпрямления на границе двух полупроводников разного типа электропроводности (электронной и дырочной) Б. И. Давыдов в 1938 г. установил важную роль неосновных носителей заряда в образовании тока.

В 1940—1941 гг. В. К. Лошкаревым и его сотрудниками экспериментально была подтверждена диффузионная теория выпрямления на p-n переходе.

B начале 40-х гг. были разработаны точечные диоды для промышленного применения.

Пример: в 1942г. в СССР был организован выпуск полупроводниковых термоэлектрических генераторов для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую. Термогенераторы использовались для питания переносных радиостанций в партизанских отрядах.

Создание и производство этих и многих других приборов в СССР стало возможным благодаря фундаментальным теоретическим и экспериментальным исследованиям свойств полупроводников, проведенным группой ученых под руководством академика А. Ф. Иоффе.

С 1948 г., американскими учеными Дж. Бардиным, У. Браттейном и У. Шокли создан точечный транзистор, начался новый этап развития полупроводниковой электроники.

У. Шокли разработал теорию плоскостного транзистора. В 1952 г. были созданы первые промышленные образцы плоскостных транзисторов, получивших в дальнейшем широкое распространение.

Тогда же У. Шокли предложил полевой транзистор с управляющим p—n переходом.

В 50-х годах были разработаны различные типы биполярных транзисторов, тиристоров, мощных выпрямительных диодов, фотодиодов, фототранзисторов, кремниевых фотоэлементов — солнечных батарей, туннельных диодов и других полупроводниковых приборов.

Принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором был предложен еще в 1926 г. Ю. Лилиенфельдом, но до окончательной разработки этих транзисторов потребовалось почти 30 лет исследований электрофизических процессов на границе полупроводника с диэлек­триком и технологии получения необходимых структур.

Одновременно с разработкой приборов новых типов велись работы по совершенствованию технологических методов их изготовления.

В первой половине 50-х годов был разработан процесс диффузии примесей в полупроводниковые материалы, и в 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.

Важным достижением стало появление в начале 60-х годов планарного процесса. Выращивание изолирующего слоя диоксида кремния на поверхности кремниевой подложки и получение в нем топологического рисунка заданной конфигурации с применением процесса фотолитографии позволили осуществлять прецизионный контроль за размерами элементов полупроводниковой структуры.

В 1960 г. был разработан еще один из важнейших технологических процессов - эпитаксиальное наращивание слоев полупроводников требуемых толщины и электрических свойств на монокристаллической подложке.

Достижения полупроводниковой электр оники явились основой создания микроэлектроники.

В 1958—1959-годах появились интегральные микросхемы на кремнии, что означало появление нового направления полупроводниковой электроники — микроэлектроники.

В 1961—1962 гг. появились первые биполярные интегральные микросхемы, а

в 1964 г. — несложные интегральные микросхемы на полевых транзисторах.

С 1967 г. начался выпуск больших интегральных микросхем.

Удалось существенно уменьшить стоимость и повысить надежность устройств электронной техники, значительно уменьшить их массу и габариты путем формирования всех пассивных и активных элементов интегральных микросхем в едином технологическом процессе.

В 80-е годы прошлого столетия стремление к уменьшению размеров активных элементов электроники привело к зарождению еще одного направления — наноэлектроники. (или более правильно — наноразмерной электроника).

Уменьшение размеров активных элементов до нанометров вызвало появление новых физических явлений и, соответственно, возможностей использования этих явлений в новых приборах.

Развитие полупроводниковой электроники идет весьма интенсивно и в нашей стране, о чем свидетельствует присуждение в 2000 г. Нобелевской премии академику Ж. И.Алферову за исследование гетеропереходов, разработку технологий их формирования и за организацию производства полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2