2014-02-05
2158
 |
В диоде с резким восстановлением обратного сопротивления имеет место эффект накопления неосновных носителей заряда в базе для создания кратковременного импульса обратного тока по форме приближенному к прямоугольному импульсу (рис.5.). В переходном процесс можно выделить два времени: t 1– время высокой обратной проводимости и t 2 – время восстановления высокого обратного сопротивления.
Длительность t 1зависит от величины заряда неосновных носителей, накопленного в базе, т.е. от величины прямого тока I пр и величины обратного тока I обр.max. Величина I обр.max зависит от величины обратного напряжения U обр и от сопротивления базы. В реальных условиях амплитуда обратного тока определяется ЭДС генератора и суммой сопротивлений базы диода и внешней цепи.
Длительность t 2 определяется временем уменьшения обратного тока от I обр.max до 0.1 I обр.max.
В диодах с накоплением заряда создают большой градиент концентрации примесей в базе (рис.6, в), что увеличивает напряженность встроенного электрического поля Е встр и способствует концентрации электронов в низколегированной области вблизи границы p-n- перехода. Для уменьшения времени жизни неосновных носителей в базе и уменьшения t 2 производят легирование базы примесями меди или золота. Для уменьшения сопротивле
 |
ния базу делают двухслойной. Со стороны электрода создается высоколегированный слой, а со стороны p-n- перехода – тонкий низколегированный слой. Кроме того, наличие высоколегированного слоя дополнительно ограничивает область накопления неосновных носителей в базе тонкой областью низколегированного слоя. Для уменьшения барьерной емкости и индуктивности диода уменьшают его размеры. Все это вместе существенно ускоряет процесс рассасывания неосновных носителей в базе и позволяет формировать прямоугольные импульсы с нано и пикосекундной длительностью.
Диоды с резким восстановлением обратного сопротивления используются для создания генераторов коротких импульсов, как правило, в СВЧ диапазоне и умножителей частоты.
