Временная зависимость плотности свободных электронов и вспомогательных процессов в SiO2 на различной длине импульса + рисунок
Зависимость от времени возникает во время и после облучения лазерными импульсами на различной длине импульса.
Imp. - ударная ионизация, sefi - многофотонная и туннельная ионизация.
II важно только при t > 50 фс, вклад SEFI доминирует на любой длине импульса, только при τр= 200 фс вклад II сопоставим с SEF.
49-ый слайд:
Повреждение (плавление) и абляция в SiO2 под фс-лазерным импульсным облучением (схема)
50-ый слайд:
Введение в фемтосекундном режиме
Зависимость ширины импульса от глубины пороговых повреждений для синтезированного кремния при 1053 нм и 825 нм.
51-ый слайд:
Детерминистический порог ущерба (рисунок)
Типичным результатом для всех исследуемых покрытий является "резкий" переход в вероятности повреждений:
52-ой слайд:
Траектории на различных длинах волн в расплавленном силикате (рисунок)
Квантованное поведение крышки в диэлектрических слоях.
53-ий слайд:
Количество фотонов для некоторых типичных материалов для нанесения покрытий (рисунок)
54-ый слайд:
Коэффициент многофотонной ионизации (рисунок)
Оценка уровня ионизации Келдыша для TiO2 на различных длинах волн.
55-ый слайд:
Зависимость LIDT от длины волны (рисунок)
56-ой слайд:
Поглощение слоя TiO2 на одну длину волны (рисунок)
57-ой слайд:
Поглощение при 0,8 ГВт/см2 (рисунок)
58-ой слайд:
Измерение металлика фс-лазерных зеркал (рисунок)
0% вероятность повреждения
59-ый слайд:
LIDT оптических покрытий с фемтосекундными и пикосекундными импульсами
60-ый слайд:
Диэлектрические тонкие пленки в фемтосекундных системах
· Тонкие оптические пленки, как правило, являются самой слабой частью ультракоротких лазерных систем,
· Несмотря на общие характеристики с сыпучими материалами, лазерное повреждение диэлектрических тонких пленок имеет свои особенности,
· Диэлектрические тонкие пленки обладают специфическими оптическими, механическими, термическими и электронными свойствами, затрагивающими LIDT,
· LIDT в значительной степени зависит от условий осаждения,
· Некоторые конкретные материалы, такие как смеси (бинарные или трехмерные оксиды, образующиеся в результате совместного осаждения нескольких соединений), могут осаждаться и эффективно использоваться в ультракоротких лазерных системах.
61-ый слайд: