2021-09-21
80
Проводящие пленки для контактных площадок и обкладок конденсаторов выполняют из различных металлов: алюминия, меди, золота, никеля и др. В изделиях АТЭ применяют в основном алюминий и медь.
Диэлектрические пленки из оксида кремния, оксида алюминия, алюмосиликатов, стекла и оксида тантала используют для изготовления конденсаторов, межслойной изоляции и общей защиты схемы от внешних воздействий.
Для формирования рисунка проводящего и резистивного слоев применяют масочный метод, т.е. соответствующие материалы напыляют на подложку через съемную (свободную) или контактную маску. В первом случае используют трафарет из фольги, который с помощью специального приспособления прижимают к подложке, устанавливаемой в напылительную камеру. Данный метод имеет недостаток: между маской и подложкой существует неустранимый микрозазор, обусловливающий погрешность в воспроизведении линейных размеров пленочных элементов.
Контактная маска в отличие от свободной представляет собой тонкую пленку, создаваемую непосредственно на поверхности подложки методом фотолитографии. В этом случае на подложку наносят слой фоторезиста — высокомолекулярного соединения, чувствительного к воздействию ультрафиолетового излучения, экспонируют его через фотошаблон, открывают требуемые участки подложки, а затем на полученное рельефное изображение наносят сплошной слой материала тонкопленочной схемы. Обработка заготовки растворителем для фоторезиста приводит к удалению участков материала, находящихся на фоторезисте, а на подложке остаются элементы схемы требуемой конфигурации.
В настоящее время применяют различные методы нанесения тонких пленок на подложки. Наиболее широкое распространение получил метод термического испарения веществ в вакууме. Он основан на свойстве металлов и некоторых других материалов в условиях высокого вакуума прямолинейно перемещаться и оседать на поверхность, расположенную на пути их движения.
Вакуумное термическое испарение широко применяют для получения резистивных пленок, проводников из меди, алюминия и некоторых других сплавов, а также диэлектрических пленок из оксида кремния. Основные достоинства этого метода — высокая степень чистоты материала получаемой пленки, удобство контроля ее толщины в процессе напыления и простота автоматизации процесса.
В установке для термического испарения используют принцип планетарного вращения подложек относительно трех осей вращения. Производительность метода составляет до 70 подложек за цикл. Значение электрических параметров тонких пленок и их воспроизводимость зависят от состава и давления остаточных газов в рабочей камере, температуры подложки и скорости нанесения пленки, которые необходимо контролировать. Так, контроль толщины пленок осуществляют измерением их сопротивления, а скорость напыления определяют с применением микроэлектронных кварцевых весов.
