Полупроводниковые интегральные микросхемы. Полупроводниковые ИС изготавливаются путем формирования в монокристаллическом теле полупроводника структуры ИС при помощи технологических операций

Полупроводниковые ИС изготавливаются путем формирования в монокристаллическом теле полупроводника структуры ИС при помощи технологических операций. Создаются различные области, обладающие дырочной (р-область) и электронной (n-область) проводимостями. Плотность упаковки в полупроводниковых интегральных микросхемах доходит даже до нескольких тысяч элементов и более на 1 квадратный мм. ­Полупроводниковые интегральные микросхемы в сборе помещают в металлический или пластмассовый корпус

· Биполярный транзистор. Трехэлектродный полупроводниковый прибор имеющий структуры n-p-n или p-n-p-типа. В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки

· Резистор. Это участки полупроводника, легированного примесями методом диффузии. Сопротивление таких резисторов зависит от размеров и формы участка

· Конденсатор. Используются обратно-смещенные p-n-переходы. Из-за малой площади p-n-перехода емкость таких конденсаторов обычно не выше нескольких сотен пикофарад.

· Индуктивные элементы. Практически не используются из-за большой трудности при изготовлении.

Полупроводниковые интегральные микросхемы являются наиболее распространенным типом интегральных микросхем, обеспечивающих максимальную миниатюризацию и надежность. Они также обладают высоким быстродействием, что позволяет создать высокочастотные усилители и быстродействующие логические микросхемы с временем задержки менее 0,1 нс. При массовом производстве являются наиболее дешевыми. Изготовление сразу большого количества микросхем в едином технологическом цикле позволяет существенно усложнять их схему и увеличивать количество активных и пассивных элементов практически без повышения трудоемкости изготовления. Небольшие партии микросхем выгоднее делать используя гибридную технологию.

Также полупроводниковые интегральные микросхемы могут использовать МДП – транзисторы вместо биполярных. МДП – транзисторы полностью изолированы друг от друга и не требуют специальной изоляции, что значительно повышает плотность расположения элементов на кристалле. Также существует технология, которая позволяет изготавливать на одной пластине полупроводникового материала несколько сотен интегральных схем одновременно. Такая технология получила название планарно-эпитаксиальная.

По своему функциональному назначение интегральные микросхемы делятся на линейно-импульсные и логические. Различие в том, что линейно-импульсные обеспечивают примерно пропорциональную зависимость между входными и выходными сигналами, а логические представляют собой устройства с несколькими входами и выходами, причем входные и выходные напряжения могут принимать лишь определенные значения.