Однократно программируемое ПЗУ

3. Стираемое ППЗУ или РПЗУ (репрограммируемые) – пользователь может запрограммировать такое ПЗУ несколько раз без ущерба для информации. Такие ПЗУ включаются в комплект МП систем, функции которых окончательно определяются изготовителем. Построение таких ПЗУ аналогично построению масочных ПЗУ. Его основу составляет МОП – транзисторы.

При подаче достаточно большого напряжения записи (программирования) к электроду истока или стока происходит инжекция электронов в затвор, после чего этот заряд может удерживаться на затворе длительное время. Отрицательный заряд на затворе притягивает дырки, создает канал между стоком или истоком – “0”. При подаче ультрафиолетового излучения канал исчезает – “1” – вся информация стирается. Стираемое ППЗУ

4. Память с электрически изменяемым параметром (электрически изменяемое ПЗУ) программируемое изменение содержимого ЗУ осуществляется с помощью электрических средств. Такой памяти присуща одна особенность: записывающий сигнал должен подаваться в течении достаточно продолжительного времени.

ПЗУ и ОЗУ в адресном пространстве выделяются области памяти с непересекающимися адресами.

Внешние ЗУ (по отношению к базовой платформе микропроцессорной системы) предназначены для хранения больших массивов информации. Характеризуются большим объемом и относительно малым быстродействием. Непосредственно в процессе выполнения обработки информации не участвуют. Обычно выполняются в виде конструктивно самостоятельных устройств.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: