Студопедия
МОТОСАФАРИ и МОТОТУРЫ АФРИКА !!!


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram

Постоянные запоминающие устройства. DRDRAM (Direct Rambus DRAM — динамическая память с прямой шиной для RAM) — перспективный тип оперативной памяти




DRDRAM

DRDRAM (Direct Rambus DRAM — динамическая память с прямой шиной для RAM) — перспективный тип оперативной памяти, позволивший значительно увеличить производительность компьютеров. Высокое быстродействие памяти Direct RDRAM достигается рядом особенностей, не встречающихся в других типах. В частности, применением собственной двухбайтовой шины Rambus с частотой 800 МГц, обеспечивающей пиковую пропускную способность до 1,6 Гбайт/с. Контроллер памяти Direct RDRAM управляет шиной Rambus и обеспечивает преобразование ее протокола с частотой 800 МГц в стандартный 64-разрядный интерфейс с частотой шины до 200 МГц. Фирма Intel выпустила чипсеты i820, i840, i850 с поддержкой DRDRAM. Модули Direct RDRAM — RIMM внешне подобны модулям DIMM.

В маркировке SDRAM и DRDRAM (часто именуемой также как RDRAM) обыч­но указывается рабочая частота модуля в виде, например, обозначения PC 150, что для SDRAM означает пиковую пропускную способность 1200 Мбайт/с — та­кую же, как у РС600 для DRDRAM (ввиду малоразрядности шины последней). Правда, многие чипсеты (например i850) поддерживают двухканальный обмен с памятью DRDRAM, что удваивает ее пропускную способность.

Для DDRDRAM указание РС150 подразумевало бы пропускную способность 2400 Мбайт/с — в 2 раза большую, чем для SDRAM (ввиду передачи информации по двум фронтам импульса). Но для DDR принято в маркировке около букв PC указывать не рабочую частоту, а саму пропускную способность. То есть марки­ровка РС2400 для DDRDRAM означает DDR-память с рабочей частотой 150 МГц (возможное обозначение такой памяти, как DDR150).

Увеличение разрядности и частоты шины Rambus, обещанное в ближайшие годы, делает память DRDRAM, несмотря на ее высокую стоимость, весьма перспектив­ной. Так, компания Samsung наметила в конце 2003 года выпустить 64-бито­вую память (с четырьмя 16-битовыми каналами), имеющую пропускную способ­ность 8500 Мбайт/с (PC 1066) и 9600 Мбайт/с (PC 1200). Ближайшие перспек­тивы DDRDRAM ненамного скромнее: фирма Hynix Semiconducta анонсировала 512-мегабитовые чипы DDR, изготовленные по 0,10 мкм-технологии с рабочими частотами 266, 333 и 400 МГц (скорость обмена до 6400 Мбайт/с).

Характеристики отдельных видов памяти представлены в табл. 6.2.

В конце 2002 года появилось сообщение о создании компаниями Toshiba и In­fineon Technologies AG новой ферроэлектрической микросхемы энергонезависи­мой памяти (FeRAM — Ferroelectric Random Access non-volatile Memory) ем­костью 32 Мбит, по пропускной способности сравнимой с SDRAM.



Глава 6. Запоминающие устройства ПК


Таблица 6.2.Характеристики некоторых типов памяти

Год выпуска Тип памяти Тактовая частота, МГц Разрядность шины (бит) Пиковая пропускная способность Мбайт/с
FPM DRAM  
EDO DRAM  
SDRAM  
SDRAM  
SDRAM  
DRDRAM, 1 канал  
DRDRAM, 1 канал  
DRDRAM, 2 канала  
DRDRAM, 2 канала  
DRDRAM, 2 канала  
DDR SDRAM  
DDR SDRAM  
DDR SDRAM II  
DDR SDRAM II  

Компании IBM и Infineon Technologies разработали технологию магнитной опе­ративной памяти с произвольной выборкой (MRAM). Работает MRAM анало­гично флэш-памяти (Flash) и является энергонезависимой. IBM сообщила, что MRAM сможет заменить существующие разновидности DRAM уже к 2005 году. Компьютер с MRAM будет загружаться практически мгновенно.




ПРИМЕЧАНИЕ------------------------------------------------------------------------------------------------------

Развитие технологии хранения информации наглядно свидетельствует о движении технического прогресса по спирали, на следующем витке спирали используются старые принципы, реализованные на более прогрессивной технологии. Действитель­но, первые ОЗУ строились на базе электромагнитных линий задержки (динамиче­ские ОЗУ), затем на базе магнитных тороидальных сердечников и пленок (МОЗУ), далее снова на динамических элементах (CMOS-транзисторах, DIMM) и грядет MRAM (опять МОЗУ)!



Постоянное запоминающее устройство (ПЗУили ROMRead Only Memory, па­мять только для чтения) также строится на основе установленных на материн­ской плате модулей (кассет) и используется для хранения неизменяемой инфор­мации: загрузочных программ операционной системы, программ тестирования устройств компьютера и некоторых драйверов базовой системы ввода-вывода (BIOS) и т. д.

К ПЗУ принято относить энергонезависимые постоянные и «полупостоянные» запоминающие устройства, из которых оперативно можно только считывать


Основная память



информацию, запись информации в ПЗУ выполняется вне ПК в лабораторных условиях или при наличии специального программатора — в компьютере. По технологии записи информации можно выделить ПЗУ следующих типов:

□ микросхемы, программируемые только при изготовлении — классические или масочные ПЗУ или ROM;

□ микросхемы, программируемые однократно в лабораторных условиях — про­граммируемые ПЗУ (ППЗУ) или programmable ROM (PROM);

□ микросхемы, программируемые многократно — перепрограммируемые ПЗУ или erasable PROM (EPROM). Среди них следует отметить электрически пере­программируемые микросхемы EEPROM (Electrical Erasable PROM), в том числе флэш-память.

Устанавливаемые на системной плате ПК модули и кассеты ПЗУ имеют емкость, как правило, не превышающую 128 Кбайт. Быстродействие у постоянной памяти меньшее, чем у оперативной, поэтому для повышения производительности со­держимое ПЗУ копируется в ОЗУ, и при работе непосредственно используется только эта копия, называемая также теневой памятью ПЗУ (Shadow ROM).

В настоящее время в ПК используются «полупостоянные», перепрограммируемые запоминающие устройства — флэш-память. Модули, или карты, флэш-памяти могут устанавливаться прямо в разъемы материнской платы и имеют следующие параметры: емкость до 512 Мбайт (в ПЗУ BIOS используются до 128 Кбайт), время обращения по считыванию 0,035-0,2 мкс, время записи одного байта 2-10 мкс. Флэш-память — энергонезависимое запоминающее устройство. Приме­ром такой памяти может служить память NVRAM — Non Volatile RAM со ско­ростью записи 500 Кбайт/с. Обычно для перезаписи информации необходимо подать на специальный вход флэш-памяти напряжение программирования (12 В), что исключает возможность случайного стирания информации. Перепрограмми­рование флэш-памяти может выполняться непосредственно с гибкого диска или с клавиатуры ПК при наличии специального контроллера, либо с внешнего про­грамматора, подключаемого к ПК. Флэш-память бывает весьма полезной как для создания весьма быстродействующих, компактных, альтернативных НМД запо­минающих устройств — «твердотельных дисков», так и для замены ПЗУ, храня­щего программы BIOS, позволяя прямо с «дискеты» обновлять и заменять эти программы на более новые версии при модернизации ПК.





Дата добавления: 2014-02-24; просмотров: 767; Опубликованный материал нарушает авторские права? | Защита персональных данных | ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ


Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: Да какие ж вы математики, если запаролиться нормально не можете??? 8640 - | 7467 - или читать все...

Читайте также:

 

3.218.67.1 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.


Генерация страницы за: 0.003 сек.