2014-02-09
1194
В этом методе атомы полупроводникового вещества переносятся на подложку в составе химического соединения, которое разлагается на подложке, причем компоненты - носители полупроводникового материала удаляются из реактора, а атомы полупроводникового вещества осаждаются на подложке.
В промышленности используют несколько типов химических реакций при проведении газофазовой эпитаксии.
1. Разложение галоидных соединений полупроводника на нагретой поверхности подложки.
2. Восстановление галоидных соединений водородом на нагретой поверхности подложки.
3. Пиролиз (разложение) гидридов полупроводниковых материалов.
4. Транспортные химические реакции, при которых на первой стадии образуются летучие галоидные соединения полупроводникового материала, а на второй стадии - их разложение водородом. На Рис. 1 приведена схема процесса газофазовой эпитаксии при использовании в качестве сырья четыреххлористого кремния. На рисунке обозначено: 1 – держатель подложек, 2 – подложки, 3 – нагреватель.
Рис. 1. Схема эпитаксии полупроводников из газовой фазы.
Процесс газовой эпитаксии обычно реализуют в двух типах реакторов - горизонтальном и вертикальном. Каждая из этих схем имеет несколько разновидностей. Например, транспортирующий газ может подаваться через расплав одного или нескольких компонентов, чем обеспечивается насыщение транспортирующего газа парами данного компонента. Данный метод особенно эффективен при выращивании сложно-легированных эпитаксиальных структур - твердых растворов арсенида и фосфида галлия и т.д.
