Схема установки эпитаксиального осаждения

Процесс эпитаксиального осаждения включает этапы:

1. загрузка пластин в реакционную камеру;

2. продувка камеры азотом для вытеснения воздуха;

3. продувка камеры водородом;

4. нагрев пластин до температуры 1200°С,

5. осаждение эпитаксиального слоя, для чего начинают пропускать водород через
жидкий SiCl₄. Водород захватывает пары SiCl₄ и переносит их в реакционную камеру,
где идет реакция восстановления кремния.

В процессе роста эпитаксиальные слои легируют, т.е. в них вводят донорные или акцепторные примеси для получения определенного типа проводимости (n- или p-) и определенного удельного сопротивления эпитаксиального слоя. Легирование эпитаксиальных слоев происходит одновременно с их ростом путем введения в газовую смесь соединений, содержащих легирующие элементы.

Если необходимо получить эпитаксиальный слой n-типа проводимости, используют легирующие вещества, содержащие фосфор (РС1₃, РН₃ и др.).

Если необходимо получить эпитаксиальный слой p-типа проводимости, используют легирующие вещества, содержащие бор (В₂Н₆, BBr₃ и др.).

Эпитаксия выполняется на установках типа УНЭС, Изотрон, управляемых в основном ЭВМ.

Основной недостаток хлоридного метода - высокая температура процесса, приводящая к проникновению примесей из пластины в растущий эпитаксиальный слой.