Negative (электрон)

(2.1)

Где N_p, N_n – число, соответственно, дырок и электронов;

DW_з – ширина запретной зоны;

K – постоянная Больцмана;

Т – абсолютная температура в Кельвинах;

A – коэффициент пропорциональности, зависит от материала.

При повышении температуры количество электронов и количество дырок увеличивается.

Т_пр: Si»125°C;

Ge» 85°C;

Чистый полупроводник обладает небольшой проводимостью (I=100мкА), которая не зависит от полярности подключения.

Примесный полупроводник

Полупроводник n-типа (донор). Полупроводник p-типа (акцептор).

P-N-переход. Полупроводниковый диод.

При соединении p и n полупроводников на границе раздела (p-n-переход) происходит рекомбинация электронов и дырок. В результате образуются малоподвижные ионы и внутреннее поле E_вн.

При обратном включении небольшой по величине сквозной ток,называемый обратным или тепловым током,образующийся за счет распада ковалентной связи (последний эффект всегда присутствует).