УГФС 15 Коллекторная модуляция в передатчиках

Аналогом анодной модуляции является коллекторная модуляция. Однако здесь теряется одно из основных преимуществ анодной модуляции — высокое использование ламп, так как максимальное напряжение на коллекторе транзистора ограничено предельно допустимым значением. Вследствие этого при коллекторной модуляции транзистор отдает при мерно такую же мощность, как и при базовой. Поскольку в транзисторе нежелателен перенапряженный режим, а проницаемость ничтожно мала, коллекторная модуляция на один каскад при постоянном возбуждении не дает эффекта, и поэтому нужно модулировать также и возбудитель (на базу).

На низких частотах входная и выходная реактивные проводимости транзистора малы по сравнению с проводимостями реактивных элементов контура, поэтому схемы модуляции и методы расчета режима в основном аналогичны для ламповых. На более высоких частотах расчет режима необходимо вести с учетом инерционных свойств транзистора. С повышением частоты входная и выходная емкости транзистора составляют заметную часть контурных емкостей Величины их зависят от режима работы транзистора и построения контура.