Технология изготовления и конструкция

Основная часть конструкции фоторезистора – фоточувствительный слой полупроводника, выполненный в виде моно- или поликристаллической пластинки или пленки на диэлектрической подложке с металлическими электродами.

В качестве полупроводникового материала используются собственные полупроводники: CdS (максимальная чувствительность в зеленой области спектра, пригоден для измерителей освещенности), CdSe (максимальная чувствительность в красной области спектра), ZnS (работает в ИК-диапазоне 1,5 – 2,5 мкм), PbSe, InSb (для ИК-диапазона 3 – 3,5 мкм), твердые растворы CdTe – HgTe (работают в ИК-диапазоне 7 – 14 мкм), а также используются примесные полупроводники, например, Ge и Si, для ИК-диапазона 5 – 30 мкм.

В табл. 6.2 приведены длины волн, соответствующие максимумам спектральной чувствительности λ_max, ширина запрещенной зоны Е_g полупроводников, применяемых для изготовления фоторезисторов. Поверхность фоточувствительного слоя между электродами называют рабочей площадкой, она может иметь прямоугольную форму, может быть в виде меандра или кольца. Площадь рабочей площадки от 0,1 до 10 мм². Вся конструкция помещается в пластмассовый или металлический корпус.