Полевой транзистор

В транзисторе на полупроводниковой УНТ нанотрубка помещается на два тонких платиновых электрода (левый- исток, правый- сток), на которые подается основное напряжение для прохождения тока. В качестве третьего управляющего электрода (затвора) используется слой кремния. Электроды и затвор разделяет изолирующий слой оксида кремния. В полупроводниковой нанотрубке состояния валентной зоны отделены от зоны проводимости энергетической щелью, поэтому в отсутствие внешнего поля концентрация носителей в зоне проводимости мала и нанотрубка обладает высоким сопротивлением. При подаче на третий электрод электрического поля U в области нанотрубки возникает электрическое поле, что изменяет энергетическое распределение в зонах. И края зон смещаются относительно поверхности ферми. При этом концентрация дырок в валентной зоне и электропроводность возрастают. Для потенциала затвора около – 6 В концентрация дырок достигает максимума, сопротивление минимума и нанотрубка становится металлической. Рис

При создании полевого транзистора на металлической нанотрубке используют эффекты туннельного переноса электронов через нанотрубку по отдельным молекулярным орбиталям.