Схема реактора для ПХТ

1 - верхний электрод

2 - п/п пластины

3 - нижний электрод

В реакторе ВЧ-полем возбуждается газоразрядная плазма между двумя параллельными электродами, расположенными на расстоянии 15 - 40 мм друг от друга. Пластины находятся в области газового разряда. Для равномерного травления подложкодержатель вращают с частотой 0,1 об./сек.

Контролируют: величину наклона профиля травления и отклонение размеров, наличие сыпи и матовости на обработанной поверхности.

Плазмохимическое удаление фоторезиста (ПХУФ)

ПХУФ - наиболее эффективный и безопасный процесс, одновременно обеспечивающий и очистку пластин.

ПХУФ выполняется в вакуумных реакторах в низкотемпературной смеси кислорода с азотом.

При t = 150 - 200° С ионы кислорода активно окисляют слой фоторезиста, образуя летучие соединения. Азот предохраняет открытые участки кремния от окисления. Длительность обработки существенно сокращается по сравнению с жидкостными методами.

Достоинства ПХУФ: Слабая зависимость процесса удаления фоторезиста от режимов задубливания; высокая чистота подложек; нетоксичность.

Недостатки ПХУФ: Невозможность удаления посторонних металлических

включений (их удаляют дополнительной обработкой пластин в растворах кислот), возможны радиационные дефекты.