Электронно–дырочный переход

а) плоскостные б) точечные Рисунок 4

Граница между соседними областями полупроводника, одна из которых обладает проводимостью n – типа, а другая p – типа, называется электронно–дырочным переходом. Наиболее широко применяются плоскостные (рисунок 4, а) и точечные р – n переходы (рисунок 4, б).

По способу изготовления плоскостные р – n переходы делятся на выращенные, сплавные и диффузионные. При формовке точечного р – n перехода через точечный контакт острия (диаметром 10 – 20 мкм) металлической пружины с полупроводником основной массы кристалла n–типа пропускает в течении долей секунды импульс тока сравнительно большой мощности благодаря диффузии примеси из острия пружины в полупроводник.

Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:

3 4 5 6 7 8 9