Полупроводниковые ИМС и методы изоляции

Их изготавливают на основе планарно-эпитаксиальной технологии, включающей в себя принцип диффузии, эпитаксии, окисления, фотолитографии, металлизации.

МЕТОДЫ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИМС

· Изоляция р-п переходом (достоинство - проще технология).

· Изоляция диэлектриком (большая точность параметров).

Первый способ обеспечивает создание вокруг каждого элемента обратносмещенного р-п перехода. Обратное смещение переходов, расположенных между двумя соседними элементами, создается пода­чей на подложку р-типа самого низкого отрица­тельного потенциала.

Второй способ обеспечивает создание вокруг каждого элемента слоя диэлектрика, обычно SiO₂ (рис.1,2).

Рис.1 Рис.2