2015-03-07
635
В работе используется полупроводниковый лазер с l = 670 нм.
1. Собрать схему установки (рис. 3.2), учитывая, что для увеличения точности измерений необходимо щель расположить от экрана на расстоянии не менее 1 м.
2. Используя юстировочный винт, на котором установлена калибровочная щель, добейтесь, чтобы луч лазера прошел через ее отверстие и попал на экран.
3. Изменяя размер щели от 0,03 мм с шагом 0,03мм, проведите 10–12 измерений. Размер щели увеличивать так, чтобы на экране наблюдалась четкая дифракционная картина.
4. Для каждого значения ширины щели измерьте ширину центрального максимума, как с помощью линейки, так и путем подсчета числа делений миллиметровой бумаги, которая используется в качестве экрана. Ширину максимума следует определить по положению темных полос, окаймляющих максимум.
5. Результаты измерений D х, 2 Д и Д (половина ширины центрального максимума) занесите в табл. 3.1.
Таблица 3.1
| № | D х | 2 Д | Д | F | sin j = 
| 
|
| … | ||||||
6. Постройте график зависимости полуширины центрального максимума Д от размера щели D х. Сделайте анализ полученных результатов.
|
|
|
