Задание на лабораторную работу №5

№ варианта
Транзистор	2N3702	2N3703	2N4061	2N4062	2N2712	2N2714	2N2923	2N2924	2N5086	2N5087

№ варианта
Транзистор	PN2906	PN2907	PN3638	PN3640	2N3711	2N3859	2N3860	2N3903	PN4121	PN4122

Контрольные вопросы

1. Устройство и работа биполярного транзистора.

2. Схемы включения биполярных транзисторов.

3. Основные характеристики и параметры биполярных транзисторов.

4. Малосигнальные параметры транзисторов и параметры для больших сигналов.

5. Параметры предельных режимов биполярных транзисторов.

Лабораторная работа № 8.

Исследование полевых транзисторов

Основное отличие полевых транзисторов от биполярных

Первоначальное название полевых транзисторов - униполярные транзисто­ры - было связано с тем, что в таких транзисторах используется основные носители только одного типа (электроны или дырки).

Основные процессы в полевых транзисторах

Процессы инжекции и диффузии в та­ких транзисторах практически отсутствуют, во всяком случае, они не играют прин­ципиальной роли. Основным способом движения носителей является дрейф в электрическом поле.

Способы управления током

Для того чтобы управлять током в полупроводнике при постоянном электри­ческом поле, нужно изменять удельную проводимость полупроводникового слоя или его площадь. На практике используются оба способа и основаны они на эффекте поля (управление напряжением на затворе). Поэтому униполярные транзисторы обычно называют полевыми транзисторами.

Приповерхностные и объемные каналы

Проводящий слой, по которому протекает ток, называют каналом. Отсюда еще одно название такого класса транзисто­ров - канальные транзисторы. Каналы могут быть приповерхностными и объемными.

Приповерхностные ка­налы представляют собой либо обогащенные слои, обусловленные наличием донорных примесей в диэлектрике, либо инверсионные слои, образующиеся под действием внешнего поля.

Объемные каналы представляют собой участки одно­родного полупроводника, отделенные от поверхности обедненным слоем.

Полевые транзисто­ры с р–n переходом

Транзисторы с объемным каналом отличаются тем, что обедненный слой со­здается с помощью р-n перехода. Поэтому их часто называют полевыми транзисто­рами с р–n переходом или просто полевые транзисторы. Транзисторы такого типа впервые описаны Шокли.