Рис. 7.9 УГО
Светодиод - излучающий полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию некогерентного светового излучения.
СИД - универсальный излучатель в оптоэлектронике. Он используется в качестве индикатора включения блоков, для визуального отображения появления высоких потенциалов на выходах ИМС, является элементом цифровых и цифробуквенных мозаичных индикаторов и т.п.
Устройство СИД отличается от обычного диода, в принципе, только наличием линзы, как правило, пластмассовой.
Рис. 7.10 Устройство светодиода
В качестве полупроводника используется карбид кремния (SiC), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN), фосфид галлия (GaP) и др., см. ПРИЛОЖЕНИЕ
Рис. 7.11 Схема включения светодиода
При подаче на p-n переход прямого напряжения наблюдается интенсивная инжекция неосновных носителей заряда: электронов в р-область и дырок в n-область.
Инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в данной области полупроводника.
|
|
При рекомбинации выделяется энергия. У многих полупроводников рекомбинация носит безызлучательный характер - энергия, выделяющаяся при рекомбинации, отдается кристаллической решетке, фононам, т.е. превращается в конечном итоге в тепло.
У полупроводников, выполненных на основе вышеперечисленных материалов, рекомбинация является излучательной - энергия при рекомбинации выделяется в виде квантов излучения - фотонов. Поэтому у таких полупроводников прохождение через p-n переход тока в прямом направлении сопровождается некогерентным оптическим излучением определенного спектрального состава.
Светодиод, как элемент электрической схемы, характеризуется ВАХ.
Ход ВАХ светодиода не отличается от ВАХ обычного диода.
Светодиод, как излучатель, характеризуют:
1. Излучательной (яркостной) характеристикой - зависимостью яркости от тока
В = f(Iпр),
где В - яркость свечения [кд/м2 ];
2. Мощностной характеристикой - зависимостью мощности излучения от тока;
3. Спектральной характеристикой - зависимостью относительной спектральной плотности мощности от длины волны излучения.
Рис. 7.12 Излучательная и мощностная характеристики светодиода
Рис. 7.13 Спектральная характеристика светодиода P= ∫Sd=2/
Спектральные характеристики имеют выраженный максимум на некоторой длине волны mах. Величина mах определяет цвет излучения, зависит от материала полупроводника диода и составляет 1,7 мкм для SiC; 0,9 мкм - GaAs.
|
|
При необходимости, можно выбрать светодиод со спектральной характеристикой, близкой к кривой относительной видимости глаза.
Электрические параметры светодиода:
1. Максимальный и номинальный прямой ток Iпр max, Iпр ном (диапазон лежит до 50ma, у СИД малой мощности);
2. Номинальное прямое напряжение Uпр ном;
3. Максимальное обратное напряжение Uобр max(4-12 В);
4. Допустимая рассеиваемая мощность Ррасс max [мВт];
5. Диапазон рабочих температур - 60°-+70°С.