МОП – транзистор ИМС

(+) простота по сравнению с БТ, т. к необходима лишь одна диффузия (образование n областей истока и стока).

Рис.9.15Эпитаксиально - планарная технология производства полевого транзистора

Body –> подложка (русск);

Sourse –> исток (русск);

Gate –> затвор (русск);

Drain –> сток (русск).

04.2013 Флёров А.Н. курсы “ФОМ” и “ Электроника и МПУ”

Для самостоятельного изучения

ПРИЛОЖЕНИЕ 7