Конструкции сплавных и диффузионных диодов аналогичны.
При изготовлении диффузионных диодов p-n переход создается при высокой температуре диффузией примеси в кремний или германий из среды, содержащей пары примесного материала.
Рис. 6.3 Диффузионный диод
Диффузионный плоскостной р-n переход изготавливается на основе кремния n-типа или германия р-типа.
Диффузантами в первом случае является бор (В), а во втором - сурьма (Sb). Диффузия осуществляется при нагреве в водородной печи.
Пластина Si нагревается до температуры, близкой к температуре плавления, а таблетка бора до испарения. В этих условиях атомы бора (B) напыляются на поверхность пластины и диффундируют вглубь ее. Вследствие этого на поверхности кристалла Si образуется слой Si p-типа. Последующим травлением этот слой удаляется со всех граней пластинки, кроме одной.
Между диффузионным слоем кремния p-типа и пластинкой Si n-типа образуется плавный р-n переход (рис.6.3), в котором эмиттером является высоколегированный диффузионный слой.
|
|
Метод диффузии позволяет достаточно точно контролировать процесс изготовления перехода, вследствие чего обеспечивается однородность параметров изготовляемых переходов.
Конструктивно плоскостные диффузионные диоды оформляются в металлические корпуса с выводами. Для улучшения теплоотвода кристалл припаивается непосредственно к корпусу, который служит одним из выводов.