Исследование электрической проводимости тонких пленок из однослойных УНТ
Целью настоящей работы является овладение одним из наиболее
широко применяемых методов определения проводимости полупроводни-
ков - четырёхзондовым методом.
Введение
Одним из основных электрофизических параметров вещества являет-
ся его удельное сопротивление ρ (Ом⋅см) или обратная ему величина -
удельная электрическая проводимость (Ом-1⋅см-1).
Методы измерения удельного сопротивления могут быть разделены
на две группы:
1. Измерения с присоединением к образцу токопроводящих или измери-
тельных контактов.
2. Бесконтактные измерения.
В настоящей работе используется первый метод.
В большинстве случаев в месте контакта измерительного зонда с по-
лупроводником возникает так называемая контактная разность потенциа-
лов, которая оказывает влияние на результаты измерений. В связи с этим,
величина сопротивления полупроводника, как правило, не может быть из-
мерена при простом включении его в цепь омметра. Поэтому методика из-
мерения удельного сопротивления должна обеспечивать либо учёт, либо
компенсацию этой дополнительной разности потенциалов.
Кроме этого, необходимо учитывать то обстоятельство, что на ре-
зультаты измерений могут влиять размеры и форма образца.
Наиболее распространённым методом определения удельного сопро-
тивления полупроводников (позволяющим учесть вышесказанное) являет-
ся четырёхзондовый метод.