Составной транзистор

Биполярный составной транзистор (схема Дарлингтона) состоит из двух транзисторов, включенных, как показано на рисунке 2.5. Ток коллектора составного транзистора состоит из I_К= I_К1+I_К2. I_К1=h_21Э(1)×I_Б1, I_К2=h_21Э(2)×I_Б2= h_21Э(2)×I_Э1= h_21Э(2)× I_Б1(1+h_21Э(1))× Индекс в скобках указывает номер транзистора. Тогда коэффициент передачи по току составного транзистора будет равен h_21Э=I_К/ I_Б= h_21Э(1)+ h_21Э(1) × h_21Э(2)+ h_21Э(2)» h_21Э(1) × h_21Э(2). А входное сопротивление h_11Э= h_11Э(1)+ (1+h_21Э(1))× h_11Э(2) или h_11Э» h_21Э(1) × h_11Э(2).

Рисунок 2.5 Таким образом, входное сопротивление и

коэффициент передачи по току составного транзистора увеличивается примерно в h_21Э(1) раз. Заменяя в ДУ транзисторы VT1 и VT2 на составные, получим значительное увеличение входного сопротивления ДУ (сотни кОм), однако, коэффициент усиления почти не изменится.

Дальнейшее увеличение входного сопротивления ДУ можно получить, используя полевые транзисторы, а увеличение K_U применением динамической нагрузки [3].