2015-04-01
375
На рисунке 4.6а показано распределение примесей в слоях, выше рассмотренного интегрального транзистора. Однако более наглядно выглядит график распределения примесей, когда по оси ординат откладывается модуль разницы между донорной и акцепторной примесями ½NД-NА½(рисунок 4.6б).
Следует обратить внимание на то, что распределение примесей в эмиттере и базе оказывается неравномерным. Представляет интерес рассмотреть распределение акцепторной примеси в базе (рисунок 4.6в). Справа от точки максимума градиент концентрации дырок отрицательный и внутреннее поле (по отношению к инжектированным электронам) является ускоряющим. Это характерно для дрейфовых транзисторов. Однако слева от точки максимума на небольшом участке градиент положительный, а, значит, электрическое поле является тормозящим. Наличие участка с тормозящим полем приводит к некоторому увеличению результирующего времени пролета носителей через базу. Однако расчеты показывают, что это увеличение составляет примерно 20% и для приближенных оценок может не учитываться.
Рисунок 4.6
