Метод контактной маски

Контактная маска изготовляется непосредственно на подложке и держится на ней благодаря адгезии. Материал маски (медь, алюминий, никель, фоторезист) должен выдерживать условия нанесения материала тонкой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя химически с этим материалом и легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки. На подложку с контактной маской (рисуноу 5.5в) наносят слой материала, из которого будут формироваться тонкопленочные элементы. Если теперь на полученную заготовку воздействовать травителем или растворителем для материала маски, то маска, удаляясь с подложки, увлекает с собою и лежащие на ней участки слоя напыленного материала. И он остается только на тех местах, где был нанесен непосредственно на поверхность подложки (рисунок 5.5г).

Метод контактной маски обеспечивает большую точность и четкость края, и применим как для вакуумного, так и для катодного распыления.

Метод фотолитографии

Метод фотолитографии аналогичен методу фотолитографии, применяемом в ППИМС при изготовлении металлических проводящих пленок (раздел 3.4). Размеры элементов могут быть такими же малыми, как и в ППИМС, но в этом нет необходимости.