Общее выражение для зависимости тока от напряжения диода с p-n переходом даётся формулой:
(1)
где е – заряд электрона,
k – постоянная Больцмана,
Т – температура,
n – так называемый коэффициент неидеальности,
IS – ток насыщения, зависящий от параметров полупроводника.