Пластина низкоомного кремния

Высокоомная эпитаксиальная плёнка,

Слой металла

Рисунок 2.9 - Принцип устройства диода Шотки

Затем пластинка срезается на отдельные части – диоды. Особенностью мезадиодов является уменьшенный объём базовой области. За счёт этого сокращается время накопления и рассасывания носителей в базе. Одновременное изготовление большого числа диодов из одной пластинки обеспечивает также сравнительно малый разброс их характеристик и параметров.

Слой с электропроводностью n-типа, полученный диффузией

Вывод от n-области

Участок, удаляемый травлением

Основная пластинка полупроводника p-типа

Рисунок 2.10 - Принцип устройства мезадиода

Слой n-типа можно получить не только методом диффузии, но и сплавным методом (мезасплавные диоды). Для создания мезадиодов используется планарная технология (меза-планарные диоды) и эпитаксиальная технология (меза-эпитаксиальные диоды).


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: