Наноэлектроника

Пленки ДУ ЛЦУ обла­дают очень сильной анизотропией электрофизи­ческих свойств, являясь при толщинах, удовле­творяющих критерию < 100 нм сверхпроводника­ми в нормальном к плоскости пленки направле­нии. При этом вдоль цепочки электроны движутся без потерь энергии, как в вакууме.

Поэтому воз­никает идея вернуться при переходе в процессе дальнейшей миниатюризации элементной базы наноэлектроники к принципам вакуумной элек­троники, но на твердотельных структурах, где роль вакуума будет играть пленка ЛЦУ. При этом помимо ожидаемого уменьшения планарных раз­меров элементов наноэлектроники до значений < 10 нм является вертикальная компоновка пле­ночных структур типа МОП (МДП), более удоб­ной и эффективной может оказаться планарно-вертикальная компоновка элементов микросхем, когда последовательное их соединение осуществ­ляется путем напыления «слоеного пирога» из пленочных структур в едином технологическом цикле. При этом возможно уменьшение потерь энергии в контактах и соединительных проводни­ках, а также увеличение быстродействия.

Можно использовать пленки ДУ ЛЦУ и в обычных диссипативных системах пленочной на­ноэлектроники, заменяя ими кремниевые элемен­ты. При этом используют легированные пленки

ДУ ЛЦУ, которые приобретают свойства р- и п-по­лупроводников. При этом полностью сохраняется вся технологическая цепочка традиционной мик­роэлектроники, однако производство углеродных материалов должно быть существенно дешевле.

Сравнительный анализ аналитических возможностей различных типов иммуносенсоров

Сканирующий СКВИД-микроскоп

Графен

Вернуться в оглавление: Физические явления