Рис. 3. Однокаскадный усилитель с общим коллектором
Параметры схемы: транзистор VT, Rб=39 кОм, Rэ=1 кОм, Rн=9 кОм, С1=10,0 мкФ, С2=10,0 мкФ
Режим холостого хода | Измерено | Uвх,В | 8,1 | |||||
Uвых,В | 8,1 | |||||||
Вычислено | Кuxx | |||||||
Iвх,мкА | 11,49 | 33,70 | 56,17 | 78,65 | 91,01 | |||
Режим нагрузки | Измерено | Uвх,В | 8,1 | |||||
Uвых,В | 7,7 | |||||||
Вычислено | Кu | 0,75 | ||||||
Iвх,мкА | 11,49 | 33,70 | 56,17 | 78,65 | 91,01 | |||
Iвых,мА | 111,1 | 333,33 | 555,55 | 777,77 | ||||
КI | 9,66 | 9,89 | 9,89 | 9,88 | 9,88 | |||
Кp | 9,66 | 9,89 | 9,89 | 9,88 | 9,88 |
Осциллограмма зависимости входного и выходного напряжений:
Построение амплитудно-частотной характеристики усилительного каскада с общим эмиттером
f, Гц | |||||||||
Uвых,мВ |
Вывод:
В ходе проведения лабораторной работы я исследовал статические характеристики и параметры биполярного транзистора, а также одиночный усилительный каскад с общим эмиттером и общим коллектором.
|
|