2015-05-26
679
Система h-параметров(Н- параметров) - это система низкочастотных малосигнальных параметров. Для анализа этой системы параметров транзистор рекомендуется представлять в виде активного четырехполюсника (рис. 12).
|
Для расчёта и анализа устройств с биполярными транзисторами удобнее всего пользоваться системой Н – параметров. Электрическое состояние транзистора характеризуется 4-мя величинами: входным и выходным током, входным и выходным напряжением. Две из этих величин может считать независимыми, а две другие могут быть выражены через них, из практических соображений в качестве независимых может выбрать входной ток и выходное напряжение.
Iвых = F1(Iвх, Uвых)
Uвх = F2(Iвх, Uвых)
В усилительных устройствах входными сигналами являются: приращения входного напряжения и токов. В пределах линейной части характеристик справедливы следующие соотношения:
h11 имеет размерность сопротивления и представляет входное сопротивление транзистора.
|
|
|
, 
= const
h12 -,безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению.
, 
= сonst
h21 -,безразмерный коэффициент передачи тока, характеризующий усилительные свойства транзистора при постоянном коллекторном напряжении.
, 
= const
h22 – выходная проводимость транзистора
, = сonst
На основе h параметров можно составить схему замещения транзистора, учитывая, что коэффициент обратной связи по напряжению очень мал, и им можно пренебречь.
|
Для различных схем включения транзисторов h параметры имеют различное значение, и обозначаются соответствующим индексом.
Например: h21Э коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, h – параметры приводятся в справочниках.
Для наглядности приближенные расчетные соотношения для трех схем включения транзистора сведены в таблицу. В скобках указаны типовые значения параметров для каскадов на маломощных транзисторах.
| Параметр | ОЭ | ОБ | ОК |
| RВХ | r¢ Б+h21Э(rЭ+RЭ)» h21ЭRЭ сотни ом... единицы килоом | rЭ+r ¢ Б(1-h21Б) единицы...десятки ом | h21ЭRЭ высокое - десятки... сотни килоом |
| KI | h21Э = (50...300) | h21Б =(0,98...0,998) | h21Э +1=(50...300) |
| KU |  единицы... сотни (с инверсией) |  десятки... сотни (без инверсии) |  повторитель напряжения (без инверсии) |
| RВЫХ |  единицы килоом |  десятки килоом |  низкое - десятки ом |
Сопоставляя полученные результаты, можно еще раз сделать некоторые выводы, подчеркивающие особенности применения схем:
1. Схема с ОЭ обладает высоким усилением как по напряжению, так и по току, У нее самое большое усиление по мощности. Отметим, что схема изменяет фазу выходного напряжения на 180 °. Это самая распространенная усилительная схема.
|
|
|
2. Схема с ОБ усиливает напряжение (примерно, как и схема с ОЭ), но не усиливает ток. Фаза выходного напряжения по отношению к входному не меняется. Схема находит применение в усилителях высоких и сверхвысоких частот.
3. Схема с ОК (эмиттерный повторитель) не усиливает напряжение, но усиливает ток. Основное применение данной схемы - согласование сопротивлений источника сигнала и низкоомной нагрузки.
Видео: Проверка исправности транзистора с помощью мультиметра
http://www.youtube.com/watch?v=Gj9gCwSKvRI
Видео: как работает транзистор
http://rutube.ru/video/f7ec0f5cd1101980f4ee8be914bd471a/
