Рассмотрим работу полевого транзистора JFET с n-каналом

1. Напряжение на затворе U_ЗИ = 0

Подключим источник положительного напряжения к стоку, землю к истоку. Затвор также подсоединим к земле (U_ЗИ = 0). Начнем постепенно повышать напряжение на стоке U_СИ. Пока U_СИ низкое, ширина канала максимальна. В таком состоянии полевой транзистор ведет себя как обычный проводник. Чем больше напряжение между стоком и истоком U_СИ, тем больше ток через канал между стоком и истоком I_СИ. Это состояние еще называют омическая область.

Рис. Работа полевого транзистора JFET при U_ЗИ = 0

При повышении U_СИ, в полупроводнике N-типа в зонах PN-перехода постепенно снижается количество свободных электронов – появляется обедненный слой. Этот слой растет несимметрично – больше со стороны стока, поскольку туда подключен источник напряжения. В результате канал сужается настолько, что при дальнейшем повышении U_СИ, I_СИ будет расти очень незначительно. Это состояние называют режим насыщения.

2. Напряжение на затворе U_ЗИ < 0

Когда транзистор находится в режиме насыщения, канал относительно узкий. Достаточно подать небольшое отрицательное напряжение на затвор U_ЗИ, для того чтобы еще сильнее сузить канал и значительно уменьшить ток I_СИ (для транзистора с p-каналом на затвор подается положительное напряжение). Если продолжить понижать U_ЗИ, канал будет сужаться, пока полностью не закроется, и ток I_СИ не прекратится. Значение U_ЗИ, при котором ток I_СИ останавливается, называется напряжение отсечки (U_ОТС).

Рис. Работа полевого транзистора JFET при U_ЗИ < 0

Для усиления сигнала полевой транзистор JFET используют в режиме насыщения, так как в этом состоянии вследствие небольших изменений U_ЗИ сильно меняется I_СИ.