Устройство полевого транзистора JFET с n-каналом

Классификация полевых транзисторов

Полевые транзисторы (FET: Field - effect transistor) разделяются на два типа – полевой транзистор с управляющим p - n переходом (JFET: Junction Gate Field-effect Transistor) и полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor).

Каждый из типов может быть как с n-каналом, так и с p-каналом. У транзисторов с n-каналом в роли носителей электрического заряда выступают электроны. У транзисторов с p-каналом – дырки.

Обозначение на схемах

Устройство полевого транзистора JFET с n-каналом

На рис. показан полевой транзистор JFET с n-каналом. Область полупроводника n-типа формирует канал между зонами p-типа. Электроды, подключаемые к концам n-канала, называются сток и исток. Полупроводники p-типа электрически соединяются между собой (закорачиваются), и представляют собой один электрод – затвор.

Рис. Устройство полевого транзистора JFET с n-каналом

Вблизи стока и истока находятся области повышенного легирования N+. T. e. зоны с повышенной концентрацией электронов. Это улучшает проводимость канала. Кроме этого, наличие областей N+ ослабляет эффект появления паразитических p-n переходов в случае присоединения проводников из трехвалентного алюминия.

Рис. Упрощенная модель транзистора JFET с n-каналом

Названия электродов сток и исток носят условный характер. Если взять отдельный полевой транзистор, не подключенный к какой-либо схеме, то не будет иметь значения какая ножка корпуса сток, а какая исток. Имя электрода будет зависеть от его расположения в электрической цепи.