Измерение входной характеристики

Міністерство освіти і науки,молоді та спорту України

Запорізький національний технічний університет

Кафедра радіотехніки

та телекомунікацій

ЗВІТ

З лабораторної роботи

Тема:« Вимірювання статичних характеристик транзистора ».

Виконав: студент групи РТ-912 Кулініч В. С.

Перевірив: Самойлик С. С.

м. Запоріжжя, 2013

Цель работы: измерение статических характеристик транзистора(измерение входной характеристики транзистора, измерение проходной характеристики и определение крутизны, определение статического коэффициента усиления тока, измерение выходных характеристик).

Ход работы

Измерение статических характеристик производится для маломощного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, в режиме анализа по постоянному току. Сначала измерения проводятся при стандартной температуре +27, а затем в интервале температур. Схема включения транзистора показана на Рис. П7.

Измерение входной характеристики.

При малых значениях напряжения Uбэ ток базы близок к нулю (транзистор закрыт). Это наблюдается на следующем ниже приведенном графике. И только при значениях выше 0,600 В наблюдается рост тока базы.

Для оценки влияния температуры на параметры транзистора проводим расчет входной характеристики в интервале температур от -60 до +20(шаг составляет 20 градусов).

По результатам моделирования можно сделать вывод о характере влияния температуры на ток базы транзистора, что с увеличением температуры ток базы транзистора также увеличивается.