2015-05-30
275
Интегральные микросхемы (ИМС) представляют собой микроэлектронные изделия, имеющие высокую | плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов). Элементы интегральной микросхемы, реализующие функцию какого-либо электрорадиоэлемента (например, транзистора, диода, конденсатора), неотделимы от нее и поэтому их нельзя отдельно испытывать или эксплуатировать в других устройствах.
Вопрос 28.
МОП-транзисторы, выполняемые в виде чередующихся слоев металла, оксида и полупроводника, в отличие от полевых транзисторов с р-п переходом, в которых затвор электрически связан с каналом, имеют затвор, изолированный от канала слоем диэлектрика. Структура МОП-транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа. В пластине (подложке кремния р-типа) диффузией атомов донорной примеси получают области высоколегированных истока И и стока С типа п, соединенные весьма тонким (доли микрометра) каналом п-типа с малой концентрацией примеси. Поверхность пластины покрывают слоем диоксида кремния 5Юг, оставляя окна для доступа к истоку и стоку. Выводы транзистора подсоединяют к металлизированным поверхностям истока, стока, затвора и подложки. Положительное напряжение {/си подается на сток. 1Д1ри отрицательном напряжении Иэ\\ электрическое поле, образующееся между затвором и подложкой, вытесняет электроны из объема канала, увеличивая его сопротивление. С ростом напряжения (/зи ток стока /с уменьшается и при некотором напряжении отсечки вовсе прекращается^Так работает МОП-транзистор в режиме обеднения. При положительном напряжении (Узи электрическое поле затвор—канал втягивает дополнительные электроны из подложки в канал, вследствие чего его сопротивление уменьшается, а ток стока растет.] Так работает МОП-транзистор в режиме обогащения. Структура МОП-транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом /т-типа. В этих транзисторах канал при изготовлении не формируется, а создается (индуцируется) в процессе их работы.
|
|
|
