Тема 15. Исследование вольт-амперных характеристик р - n-переходов с помощью полупроводниковых транзисторов или диодов

Выпускаемые промышленностью диоды и транзисторы дают пре­красную возможность учащимся познакомиться с электротехнически­ми устройствами, в которых отношение напряжения на таком устрой­стве к силе тока через него (сопротивление) зависит от напряжения, то есть отличается от зависимости, определяемой законом Ома. В полу­проводниках наблюдается и отличная от металлов зависимость вели­чины сопротивления от температуры. Сопротивление полупроводника с ростом температуры уменьшается.

Задание

1. Разработать и описать методику исследования вольт - амперных характеристик (зависимости силы тока от напряжения) р —n переходов с помощью полупроводниковых транзисторов или диодов, дав достаточно подробное теоретическое обоснование методики изме­рения. Дать рисунок или чертеж схемы эксперимента. Дать анализ погрешностей (ошибок) измеряемых величин.

2. Исследовать экспериментально зависимость силы тока от напря­жения на р — n-переходе при разных температурах.

3. Провести подробную обработку результатов измерений с указа­нием погрешностей.

Литература

1. Мякишев Г.Я., Буховцев Б.Б. Физика 10. Просвещение, Москва, 1994.

2. Физика 10. Под редакцией Пинского А.А. Просвещение, Москва, 1995.

3. Ландсберг Г.С. Элементарный учебник физики, том 2. Наука, Москва, 1995.

Тема 16. Исследование термо-ЭДС с помощью транзисторов или полупроводниковых диодов

Контакт между полупроводниками из одного и того же материала, но с разным типом проводимости - электронной или дырочной (р или п типа), приводит к появлению в месте контакта разности потенциалов. Величина этой разности зависит от температуры контакта. Если тем­пература контакта отлична от температуры не контактирующих кон­цов, то между не контактирующими концами возникает термо-ЭДС.

Задание1. Разработать и описать методику исследования термо-ЭДС с по­мощью полупроводниковых транзисторов или диодов, дав подробное теоретическое обоснование методики измерения. Дать рисунок или чертеж схемы эксперимента. Дать анализ погрешностей (ошибок) из­меряемых величин.

2. Исследовать экспериментально зависимость величины термо-ЭДС от температуры р — п -перехода.

3. Провести подробную обработку результатов измерений с указанием погрешностей.

Литература

1. Мякишев Г.Я.,Буховцев Б.Б. Физика 10. Просвещение, Москва,1994.

2. Физика 10. Под редакцией Пинского А.А. Просвещение, Москва, 1995.