Задание. 1. Разработать и описать методику исследования фото-ЭДС, ис­пользуя р — п переход полупроводниковых транзисторов или диодов

1. Разработать и описать методику исследования фото-ЭДС, ис­пользуя р — п переход полупроводниковых транзисторов или диодов. Дать теоретическое обоснование методики измерения. Привести рису­нок или чертеж схемы эксперимента. Дать анализ погрешностей (оши­бок) измеряемых величин.

2. Исследовать экспериментально зависимость величины фото-ЭДС от длины волны света и величины светового потока.

3. Провести обработку результатов измерений с указанием погрешностей.

Литература

1. Мякишев Г.Я.,Буховцев Б.Б. Физика 10. Просвещение, Москва, 1994.

2. Мякишев Г.Я.,Буховцев Б.Б. Физика 11. Просвещение, Москва, 1994.

3. Физика 10. Под редакцией Пинского А.А. Просвещение, Москва, 1995.

4. Физика 11. Под редакцией Пинского А.А. Просвещение, Москва, 1995.

5. Ландсберг Г.С. Элементарный учебник физики, том 3. Наука, Москва, 1995.

Тема 45. Исследование ширины запрещенной зоны полупроводника с помощью фотоэффекта

Сопротивление беспримесного полупроводника изменяется при об­лучении его светом и достаточно резко падает, если энергия светового кванта больше ширины запрещенной зоны.

Если контакт между полупроводниками из одного и того же мате­риала, но с разным типом проводимости (электронной или дырочной, р или п типа), осветить светом, то между неконтактирующими конца­ми полупроводников возникает фото- или термо-ЭДС (в зависимости от длины волны света).

Оба эти явления могут быть использованы для определения шири­ны запрещенной зоны.

Задание

1. Разработать и описать методику исследования ширины запре­щенной зоны полупроводника с помощью фотоэффекта, используя или беспримесный полупроводник или р — п переход полупроводниковых транзисторов или диодов. Дать теоретическое обоснование методики измерения. Привести рисунок или чертеж схемы эксперимента. Дать анализ погрешностей (ошибок) измеряемых величин.

2. Провести обработку результатов измерения ширины запрещен­ной зоны полупроводника с указанием погрешностей.

Литература

1. Мякишев Г.Я.,Буховцев Б.Б. Физика 10. Просвещение, Москва, 1994.

2. Физика 10. Под редакцией Пинского А.А. Просвещение, Москва, 1995.

3. Ландсберг Г.С. Элементарный учебник физики, том 3. Наука, Москва, 1995.