1. Разработать и описать методику исследования спектров излучения свечи и люминесцентных ламп дневного света, дав обоснование методики исследования. Дать рисунок или чертеж схемы исследования. Дать анализ погрешностей (ошибок) измеряемых при исследовании величин.
2. Исследовать предложенным методом спектры излучения свечи и люминесцентных ламп дневного света и привести обработку результатов измерений с указанием погрешностей.
Литература
1. Мякишев Г.Я.,Буховцев Б.Б. Физика И. Просвещение, Москва, 1994.
2. Физика 11. Под редакцией Пинского А.А. Просвещение, Москва, 1995.
3. Ландсберг Г.С. Элементарный учебник физики, том 3. Наука, Москва, 1995.
Тема 43. Экспериментальная проверка уравнения фотоэффекта с помощью фотоэлементов и определение постоянной Планка
Фотоэффект принадлежит к числу явлений, в которых обнаруживаются корпускулярные свойства света. Столкновение фотонов с электронами приводит к выбиванию электронов. Энергетический баланс этого взаимодействия определяется уравнением Эйнштейна для фотоэффекта. Исследуя зависимость величины фототока от приложенного напряжения и длины световой волны, можно убедиться как в справедливости уравнения Эйнштейна, так и экспериментально определить величину постоянной Планка.
|
|
Задание
1. Разработать и описать методику экспериментальной проверки уравнения фотоэффекта и определения постоянной Планка. Дать достаточно подробное теоретическое обоснование методики измерения. Привести рисунок или чертеж схемы эксперимента. Дать анализ погрешностей (ошибок) измеряемых величин.
2. Исследовать экспериментально зависимость величины фототока от длины волны света и величины светового потока.
3. Провести обработку результатов измерений с указанием погрешностей.
Литература
1. Мякишев Г.Я.,Буховцев Б.Б. Физика 10. Просвещение, Москва, 1994.
2. Мякишев Г.Я.,Буховцев Б.Б. Физика 11. Просвещение, Москва, 1994.
3. Физика 10. Под редакцией Пинского А.А. Просвещение, Москва, 1995.
4. Физика 11. Под редакцией Пинского А.А. Просвещение, Москва, 1995.
5. Ландсберг Г.С. Элементарный учебник физики, том 3. Наука, Москва, 1995.
Тема 44. Исследование фото—ЭДС с помощью транзисторов или полупроводниковых диодов
Если контакт между полупроводниками из одного и того же материала, но с разным типом проводимости (электронной или дырочной, р или п типа), осветить светом, то величина контактной разности потенциалов зависит от длины волны света и величины светового потока. В этом случае между неконтактирующими концами полупроводников возникает фото-ЭДС.