1. Общая емкость диода Сд ( доли пикофарада – несколько пикофарад).
2. Максимальное импульсное прямое напряжение Uпр.и.max.
3. Максимально допустимый импульсный прямой ток Iпр.и.max.
4. Время установления прямого напряжения диода tуст – интервал времени от подачи импульса прямого тока на диод до достижения заданного значения прямого напряжения на нем (доли нс – доли мкс).
5. Время восстановления обратного сопротивления диода tвос – интервал времени, прошедший с момента прохождения тока через нуль (после изменения полярности приложенного напряжения) до момента, когда обратный ток достигнет заданного малого значения (порядка 0,1 I, где I – ток при прямом напряжении; tвос – доли нс – доли мкс).
Наличие времени восстановления обусловлено зарядом, накопленным в базе диода при инжекции. Для запирания диода этот заряд должен быть «ликвидирован». Это происходит за счет рекомбинаций и обратного перехода неосновных носителей заряда в эмиттер. Последнее приводит к увеличению обратного тока. После изменения полярности напряжения в течение некоторого времени t1 меняется мало и ограничен только сопротивлением внешней цепи. Временная диаграмма изменения тока через диод при подключении обратного напряжения приведена на рисунке 2.14. По истечении времени t1 концентрация
|
|
Рис. 2.14. Изменение тока через диод при подключении обратного напряжения. Условное обозначение диода Шотки
неосновных носителей заряда на границе перехода равна равновесной, но в глубине базы еще имеется неравновесный заряд. С этого момента обратный ток диода уменьшается до своего статического значения. Изменение его прекратится в момент полного рассасывания заряда, накопленного в базе.
В быстродействующих импульсных цепях широко используются диоды Шотки, в которых переход выполнен на основе контакта металл – полупроводник. У этих диодов не затрачивается время на накопление и рассасывание зарядов в базе, их быстродействие зависит только от скорости процесса перезарядки барьерной емкости. Вольт–амперная характеристика диодов Шотки напоминает характеристику диодов на основе р–n переходов. Отличие состоит в том, что прямая ветвь в пределах 8–10 декад приложенного напряжения представляет почти идеальную экспоненциальную кривую, а обратные токи малы (доли – десятки наноампер). Конструктивно диоды Шотки выполняются в виде пластины низкоомного кремния, на которую нанесена высокоомная эпитаксиальная пленка с электропроводностью того же типа. На поверхность пленки вакуумным напылением нанесен слой металла.
Диоды Шотки применяют также в выпрямителях больших токов и в логарифмирующих устройствах. Условное обозначение диода Шотки приведено на рис. 2.14.
|
|
Полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковые стабилитроны, называемые также опорными диодами, предназначены для стабилизации напряжений. Их работа основана на использовании явления электрического пробоя р–n перехода при включении диода в обратном напряжении.
Механизм пробоя может быть туннельным, лавинным или смешанным. У низковольтных стабилитронов (с низким сопротивлением базы) более вероятен туннельный пробой. У стабилитронов с высокоомной базой (сравнительно высокоомных) пробой носит лавинный характер. Материалы, используемые для создания р–n переходов стабилитронов имеют высокую концентрацию примесей. При этом напряженность электрического поля в р–n переходе значительно выше, чем у обычных диодов. При относительно небольших обратных напряжениях в р–n переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее электрический пробой, В этом режиме нагрев диода не носит лавинообразного характера, поэтому пробой не переходит в тепловой. На рисунке 2.15 приведены вольт–амперные характеристики стабилитрона КС510А при различных температурах.
Рис. 2.15. Вольт–амперные характеристики стабилитрона