2015-06-28
966
Пусть на поверхности горизонтально-слоистого изотропного полупространства мы собрали симметричную четырехэлектродную установку для измерения удельного электрического сопротивления. Допустим, число слоев равно N. Для каждого конкретного расположения электродов мы можем, воспользовавшись формулой (9), вычислить значение r к. Пусть всегда МN << АВ. Рассмотрим, как будет меняться r к при увеличении АВ от минимального значения, которое много меньше мощности первого слоя, до максимального, многократно превышающего глубину залегания кровли последнего слоя. Очевидно, при малых значениях АВ (АВ<< h 1), второй слой не будет сказываться на результатах наших измерений и r к будет равно r 1. При увеличении АВ на получаемые значения будет оказывать влияние сначала второй слой, затем третий и так далее. Действительно, по мере увеличения разноса ток будет проникать все глубже и нести информацию о все более глубоких слоях. Если разнос значительно превысит толщину всей пачки пород, влияние этой пачки будет пренебрежимо мало и r к будет равно r N.
|
|
|
Таким образом, меняя разнос установки, мы можем исследовать распределение удельного электрического сопротивления по глубине. Методика такого исследования получила название «вертикально электрического зондирования (ВЭЗ)». В разведочной геофизике под зондированием понимается исследование распределения каких-либо физических свойств по линии, перпендикулярной поверхности, на которой размещена измерительная система. Обычно, выполняя ВЭЗ, расстояние АВ меняют от единиц до сотен метров. Рассчитанные по формуле (9) значения r к строят в виде зависимости от АВ/2 в двойном логарифмическом масштабе, то есть получают график зависимости lоg r k от lоg r. Традиционно, петербургские геофизики располагают ось разносов вертикально, ось кажущихся сопротивлений – горизонтально. 
Москвичи – наоборот, ось разносов горизонтально, ось сопротивлений – вертикально. Пример кривой ВЭЗ для трехслойного разреза r 1< r 2> r 3 приведен на рис.1.4. Для того, чтобы получить дос
товерную информацию об удельном сопротивлении слоев разреза, кривую необходимо интерпретировать. Способы интерпретации будут рассмотрены ниже.
Если в нашей симметричной
установке АВ >> MN, и АВ/2 = r, то
r AM r AN » r 2, D U / r MN» E и формула (9) примет вид
rk =p r2 E/I (10)
Следует учитывать то, что в средней трети отрезка АВ поле Е практически однородно. Если приемные электроды находятся в этой области, значения rк, определенные по формулам (9) и (10) практически совпадают. Обычно, при проведении ВЭЗ расстояние МN увеличивают по мере увеличения АВ, для того, чтобы разность потенциалов не упала ниже чувствительности измерительного прибора, однако всегда оставляют меньше 1/3 АВ.
